junction potentialとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device may additionally include a third potential well 8 not located within a pn junction.例文帳に追加

半導体デバイスはｐｎ接合内に位置しない第３のポテンシャル井戸８をさらに備え得る。 - 特許庁

At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.例文帳に追加

第一のＰＮ接合素子、第二のＰＮ接合素子、第三のＰＮ接合素子、および第四のＰＮ接合素子のうちの少なくとも２つのＰＮ接合素子を、異なる２つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁

To provide a hetero junction MIS field effect transistor capable of obtaining excellent body contact and of preferably controlling the potential of a hetero junction layer.例文帳に追加

良好なボディコンタクトを得ることが可能でかつヘテロ接合層の電位を好適に制御可能なヘテロ接合ＭＩＳ型電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

So that the forward bias has a value smaller than an inherent potential barrier of pn junction, m and n are set.例文帳に追加

該フォーワードバイアスがｐｎ接合の固有電位障壁より小さな値となるように、ｍとｎを設定する。 - 特許庁

The barrier potential by the insulating film 210 of the ferromagnetic tunnel junction part 21 ranges from 0.5 to 3 eV.例文帳に追加

強磁性トンネル接合部２１の絶縁膜２１０によるバリアポテンシャルが０．５〜３ｅＶの範囲にある。 - 特許庁

The lower layer of the electrode pad 1 not providing an external potential is provided with a pn junction.例文帳に追加

さらに、外部から電位を与えない電極パッド部１の下層にｐｎ接合部が設けられている。 - 特許庁

The electron transit layer 29 has a structure where the potential on the junction surface to the second barrier layer 28 is lower than the potential of the collector layer 30, approaches the potential of the collector layer 30 as the distance to the collector layer 30 becomes shorter, and the potential on the junction surface to the collector layer 30 is equal to the potential of the collector layer 30.例文帳に追加

電子走行層２９は、第２の障壁層２８との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルよりも低く、コレクタ層３０との距離が近づくに従ってポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルに近づき、コレクタ層３０との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルと同じになるような構造をしている。 - 特許庁

The junction electrode of the first semiconductor element is at the same potential as the first metal base plate; and, the junction electrode of the second semiconductor element is at the same potential as the second metal base plate.例文帳に追加

前記第１半導体素子の前記接合電極は、前記第１金属ベース板と同一電位とされ、かつ前記第２半導体素子の前記接合電極は、前記第２金属ベース板と同一電位とされている。 - 特許庁