large microwave systemとは 意味・読み方・使い方

To improve input efficiency of microwave by increasing microwave from a wave guide to a cavity resonator, and to reduce the total size of a device by disusing a large-sized water cooled system.例文帳に追加

導波管から空洞共振器内へのマイクロ波の導入を促進して導入の効率を良くし、大型の水冷機構を不要として装置全体の小型化を図る。 - 特許庁

Owing to the above, an overheat caused by the heat generation is prevented and a large-sized water cooling system is disused, consequently, total size of the ECR microwave discharge ion generator is reduced.例文帳に追加

このため、その発熱による過熱を防止するための大型の水冷機構が不要となり、ＥＣＲマイクロ波放電イオン発生装置全体の小型化を図ることができる。 - 特許庁

To obtain a signal with the frequency used for a high-speed large capacity communication system and microwave and millimeter radars by continuously doubling a signal of the fundamental frequency in a state in which a stable output level is maintained.例文帳に追加

安定した出力レベルを保持した状態で基本周波数の信号を連続的に二逓倍してゆくことにより、高速大容量通信システムやマイクロ波およびミリ波レーダに使用できる周波数の信号が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a deep freezing and cooking interlocking system capable of conducting an optimum thawing and heating to cook by a microwave cooker even in the case of a large temperature difference between an interior and a surface of a food.例文帳に追加

食品の内部と表面の温度差が大きい場合においても、マイクロウェーブ調理器で最適な解凍及び加熱調理を行うことを可能とする冷凍・調理連動システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a microwave plasma processing system which can be installed in a limited space by reducing the total size as much as possible even if a reactor has a large diameter.例文帳に追加

反応器の直径が大きくても、装置全体のサイズを可及的に小さくでき、小さなスペースに設置し得るマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system capable of improving adhesion between slot bodies having a number of slot holes comprising conductors and dielectric arranged on the opposite side of a microwave radiation plane of the slot bodies, improving radiation efficiency and uniformity of microwave, radiating plasma for a long time, and coping with the substrate to be processed of a large area.例文帳に追加

導体からなる多数のスロット孔を有するスロット体と、このスロット体のマイクロ波放射面と反対側に設けられている誘電体との密着性を良くして、マイクロ波の放射効率と均一性の向上を図ることができ、長時間のプラズマ放電が可能で、大面積の被処理基板に対応することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Microwave power generated by the plasma source elementary substances 10a to 10d is changed in accordance with the concentration distribution of material gas G1 introduced into the chamber 1 by the material gas introducing system 7, whereby the thin film of the uniform film thickness and film quality is formed on a substrate S of a large area.例文帳に追加

材料ガス導入系７によりチャンバー１内に導入された材料ガスＧ１の濃度分布に応じて、プラズマソース単体１０ａ〜１０ｄが発生するマイクロ波パワーを変えることにより、大面積の基板Ｓに均一な膜厚、膜質の薄膜を形成する。 - 特許庁