memory electrodeとは 意味・読み方・使い方

GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲート電極形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GATE ELECTRODE IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性メモリ素子のゲート電極形成方法 - 特許庁

A memory element 10 has a first electrode 13, a second electrode 16, and a third electrode 18.例文帳に追加

メモリ素子１０は、第１の電極１３、第２の電極１６、第３の電極１８を有する。 - 特許庁

A memory structure comprises a controlling element electrode (35), a heater electrode (39), a memory component electrode (33), a chalcogenide-based memory component (23) that is arranged between the memory component electrode and the heater electrode, and a controlling element (25) that is arranged between the heater electrode and the controlling element electrode.例文帳に追加

本発明のメモリ構造は、制御素子電極（３５）と、ヒータ電極（３９）と、メモリ素子電極（３３）と、メモリ素子電極とヒータ電極の間に配置されているカルコゲナイド系メモリ素子（２３）と、ヒータ電極と制御素子電極の間に配置されている制御素子（２５）とからなることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a first electrode and second electrode.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ素子は第１電極及び第２電極を含む。 - 特許庁

FLOATING GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法 - 特許庁

A select gate electrode of a memory cell M00 is connected to a select gate line SG0, and a memory gate electrode is connected to a memory gate line MG0.例文帳に追加

メモリセルＭ００の選択ゲート電極は選択ゲート線ＳＧ０に接続され、メモリゲート電極はメモリゲート線ＭＧ０に接続される。 - 特許庁

The control gate electrode CG is higher than the memory gate electrode MG.例文帳に追加

制御ゲート電極ＣＧの高さよりも、メモリゲート電極ＭＧの高さが低い。 - 特許庁