「memory electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ELECTRODE FOR PHASE CHANGE MEMORY, METHOD OF FORMING THE ELECTRODE, AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

相変化メモリ・デバイスのための電極、電極を形成する方法、および相変化メモリ・デバイス - 特許庁

CAPACITOR ELECTRODE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRODE PRECURSOR MATERIAL例文帳に追加

半導体メモリ用のキャパシタ用電極及び電極前駆材料 - 特許庁

GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲート電極形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GATE ELECTRODE IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性メモリ素子のゲート電極形成方法 - 特許庁

A memory element 10 has a first electrode 13, a second electrode 16, and a third electrode 18.例文帳に追加

メモリ素子１０は、第１の電極１３、第２の電極１６、第３の電極１８を有する。 - 特許庁

A memory structure comprises a controlling element electrode (35), a heater electrode (39), a memory component electrode (33), a chalcogenide-based memory component (23) that is arranged between the memory component electrode and the heater electrode, and a controlling element (25) that is arranged between the heater electrode and the controlling element electrode.例文帳に追加

本発明のメモリ構造は、制御素子電極（３５）と、ヒータ電極（３９）と、メモリ素子電極（３３）と、メモリ素子電極とヒータ電極の間に配置されているカルコゲナイド系メモリ素子（２３）と、ヒータ電極と制御素子電極の間に配置されている制御素子（２５）とからなることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a first electrode and second electrode.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ素子は第１電極及び第２電極を含む。 - 特許庁

FLOATING GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法 - 特許庁

A select gate electrode of a memory cell M00 is connected to a select gate line SG0, and a memory gate electrode is connected to a memory gate line MG0.例文帳に追加

メモリセルＭ００の選択ゲート電極は選択ゲート線ＳＧ０に接続され、メモリゲート電極はメモリゲート線ＭＧ０に接続される。 - 特許庁

The control gate electrode CG is higher than the memory gate electrode MG.例文帳に追加

制御ゲート電極ＣＧの高さよりも、メモリゲート電極ＭＧの高さが低い。 - 特許庁

In the memory device 100, a resistance memory lower electrode 102, a resistance memory substance 104, a resistance memory upper electrode 106, an MSM lower electrode 108, a semiconductor layer 110, and an MSM upper electrode 112 are stacked in this order.例文帳に追加

メモリ素子１００は、抵抗メモリ下部電極１０２、抵抗メモリ物質１０４、抵抗メモリ上部電極１０６、ＭＳＭ下部電極１０８、半導体層１１０、ＭＳＭ上部電極１１２がこの順に積層されてなる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING BOTTOM ELECTRODE例文帳に追加

下部電極を有する相変化記憶素子の形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT WITH RECESS-TYPE CONTROL GATE ELECTRODE例文帳に追加

リセスタイプの制御ゲート電極を備える半導体メモリ素子 - 特許庁

An electrode pad line of the second memory chip 103b is arranged in parallel with the electrode pad line of the first memory chip 103a.例文帳に追加

第二メモリチップ１０３ｂの電極パッド列は、第一メモリチップ１０３ａの電極パッド列に平行に配置される。 - 特許庁

The memory element 1A has a memory layer 17 and an upper electrode 18 on a lower electrode 14 and an insulating film 15.例文帳に追加

記憶素子１Ａは、下部電極１４および絶縁膜１５上に記憶層１７および上部電極１８を備える。 - 特許庁

The upper electrode 11 covers to shield the lower electrode 8 serving as a memory node.例文帳に追加

上部電極１１は、記憶ノードとしての下部電極８を覆ってシールドしている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FIRST ELECTRODE AND SECOND ELECTRODE, ELECTRONIC COMPONENT AND ELECTRONIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

第１の電極及び第２の電極の製造方法、電子部品及び電子メモリ素子 - 特許庁

To provide a split-gate type nonvolatile memory which can reduce leakage current, by relaxing the strength of an electric field generated between a control gate electrode and a memory gate electrode, wherein the control gate electrode and the memory gate electrode are arranged mutually close.例文帳に追加

コントロールゲート電極とメモリゲート電極間に発生する電界強度を緩和してリーク電流を低減できる、コントロールゲート電極とメモリゲート電極が近接するスプリットゲート型不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

The resistive memory element includes the memory part formed by a lower electrode 10, a resistance memory layer 20 and an upper electrode 30, and the resistor part 50 for controlling the switching window of the memory part.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子は、下部電極１０、抵抗メモリ層２０および上部電極３０より形成されたメモリ部と、メモリ部のスイッチングウィンドウを調整する抵抗部５０を含む。 - 特許庁

This organic memory device comprises a substrate, a first electrode formed on the substrate, an organic memory layer formed on the first electrode, a second electrode formed on the organic memory layer, and an embossed structure forming an active memory region in the organic memory layer.例文帳に追加

基板、前記基板上に形成された第１電極、前記第１電極上に形成された有機メモリ層、前記有機メモリ層上に形成された第２電極、及び前記有機メモリ層にメモリ活性領域を形成するエンボス構造物を含む。 - 特許庁

LAMINATE STRUCTURED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THROUGH ELECTRODE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY/SYSTEM, AND OPERATION METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY/SYSTEM例文帳に追加

貫通電極を有する積層構造の半導体装置、半導体メモリ装置、半導体メモリ・システム及びその動作方法 - 特許庁

To determine the memory state of a resistive memory cell including a first electrode, a second electrode and an active material being arranged between the first electrode and the second electrode.例文帳に追加

第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に配置される活性物質とを有している抵抗メモリセルの記憶状態を判定する。 - 特許庁

A memory cell has a first electrode 120, a second electrode 122 opposed thereto, and a memory stack 124 developed between the first electrode and the second electrode.例文帳に追加

メモリセルは、第１の電極１２０と、対向する第２の電極１２２と、上記第１の電極と上記第２の電極との間にて展開されるメモリスタック１２４とを有している。 - 特許庁

METHOD OF SELECTING RRAM MEMORY MATERIAL AND ELECTRODE MATERIAL例文帳に追加

ＲＲＡＭメモリ材料及び電極材料の選択方法 - 特許庁

The first electrode 9 includes a plurality of nonvolatile memory cells 5.例文帳に追加

第１電極９は、複数の不揮発性メモリセル５からなる。 - 特許庁

GAS CHAMBER MATERIAL OF GAS DIFFUSION ELECTRODE USING SHAPE MEMORY ALLOY例文帳に追加

形状記憶合金を用いたガス拡散電極のガス室材 - 特許庁

ELECTRODE PARTICULARLY SUITABLE FOR USE WITH MOLECULAR MEMORY AND LOGIC ELEMENT例文帳に追加

分子メモリ及び論理素子のために特に適合させた電極 - 特許庁

The semiconductor component is a memory integrated circuit wherein a predetermined electrode of a spare electrode column serves as a chip selection electrode.例文帳に追加

前記半導体部品は予備電極列の所定電極をチップ選択電極としたメモリ集積回路となっている。 - 特許庁

This shape memory alloy actuator comprises a first electrode 1 and a second electrode 2 movable in a direction relative to the first electrode 1.例文帳に追加

第１の電極１と、第１の電極１に対して１方向に移動可能な第２の電極２とを備える。 - 特許庁

MEMORY-CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE FLASH MEMORY WITH SLIT TYPE GATE ELECTRODE AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

スリット式ゲート電極を有する不揮発性フラッシュメモリの記憶セル構造及びその操作方法 - 特許庁

A memory cell includes a first electrode 202 and a second electrode 208 forming an opening.例文帳に追加

メモリセルは、第１の電極２０２および開口部を形成する第２の電極２０８を備えている。 - 特許庁

A memory cell includes a first electrode 202, a storage location 204, and a second electrode 206.例文帳に追加

メモリセルは、第１の電極２０６、記憶場所２０４、および第２の電極２０６を有している。 - 特許庁

A transparent electrode 10a is formed as the bottom electrode of a double gate memory 11 on a glass substrate 10.例文帳に追加

ガラス基板１０上の透明電極１０ａは、ダブルゲートメモリ１１のボトムゲート電極となる。 - 特許庁

Insulator films 5 are formed between a memory gate electrode MG of a split gate type nonvolatile memory and a p-type well PW1, and between a control gate electrode CG and the memory gate electrode MG.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性メモリのメモリゲート電極ＭＧとｐ型ウエルＰＷ１との間および制御ゲート電極ＣＧとメモリゲート電極ＭＧとの間には、絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

Memory function bodies 11 and 11 are provided on the side of the gate electrode 3.例文帳に追加

ゲート電極３の側方にメモリ機能体１１，１１を備える。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT INCLUDING RUTHENIUM ELECTRODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ルテニウム電極を含む半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING GATE ELECTRODE LAYER FORMED FROM ALLOY例文帳に追加

合金から形成されたゲート電極層を含む半導体メモリ素子 - 特許庁

A phase-change memory device includes a lower electrode 43 and at least two phase-change memory cells 53 sharing the lower electrode 43.例文帳に追加

相変化メモリ素子は、下部電極４３と、下部電極４３を共有する少なくとも２つの相変化メモリセル５３と、を備える。 - 特許庁

CONNECTION ELECTRODE SUITABLE FOR PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CONNECTION ELECTRODE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

相変化材料に適した接続電極、該接続電極を備えた相変化メモリー素子、および該相変化メモリー素子の製造方法 - 特許庁

The boost gate electrode BG has a function of boosting a voltage applied to a memory gate electrode MG by capacitive coupling with the memory gate electrode MG.例文帳に追加

このブーストゲート電極ＢＧは、メモリゲート電極ＭＧとの間の容量カップリングにより、メモリゲート電極ＭＧに印加される電圧を昇圧する機能を有している。 - 特許庁

The non-volatile memory including a first conductive electrode area, a second conductive electrode area and a memory area arranged between the first and second conductive electrode areas is disclosed.例文帳に追加

第１の導電性電極領域と、第２の導電性電極領域と、それらの間に配置されるメモリ領域とを含む不揮発性メモリが開示されている。 - 特許庁

A memory cell of a nonvolatile memory includes an upper electrode and a lower electrode, and a state change part which can change in state only once from the upper electrode to the lower electrode.例文帳に追加

本発明による不揮発性メモリのメモリセルは、上部電極および下部電極と、当該上部電極から下部電極までの間に、一度だけ状態変化が可能な状態変化部を含む。 - 特許庁

The semiconductor component 2 is a memory integrated circuit with a chip select electrode 4a for a predetermined electrode in a spare electrode row.例文帳に追加

半導体部品２は予備電極列の所定電極をチップ選択電極４ａとしたメモリ集積回路となっている。 - 特許庁

The memory layer is provided between the inner dielectric film and the electrode film.例文帳に追加

記憶層は内側絶縁膜と電極膜との間に設けられる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING ELECTRODE, METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR, MEMORY, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

電極形成方法、キャパシタ製造方法、メモリ装置、及び電子機器 - 特許庁