「memory electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing an influence of potentials of electrode layers, functioning as a control gate of a memory cell, on other regions.例文帳に追加

メモリセルのコントロールゲートとして機能する電極層の電位が他領域に影響するのを抑制することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory transistor TR3 is provided on the memory transistor TR2, and a gate electrode 5c is formed on the C plane of the side face of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタＴＲ３はメモリトランジスタＴＲ２の上部に設けられ、ゲート電極５ｃが素子形成領域１００の側面のＣ面に形成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a heating electrode of a variable-resistance memory device having a phase-variable matter film and a variable-resistance memory utilizing it.例文帳に追加

相変化物質膜を有する可変抵抗メモリ装置の加熱電極の形成方法とこれを利用する可変抵抗メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The memory cell 27m is capable of independently storing/reading information in the memory function members 27mr and 27m1 of both sides of the gate electrode.例文帳に追加

メモリセル２７ｍは、ゲート電極の両側のメモリ機能体２７ｍｒ、２７ｍｌにおいて、夫々独立した情報の記憶及び読出しが可能である。 - 特許庁

A memory chip 3 is connected to the driving circuit 5 via a contact electrode surface provided to the memory chip 3 and a contact connector 4 in a printer device 1.例文帳に追加

メモリチップ３は、メモリチップ３に備わる接点電極面とプリンタ装置１内の接点コネクタ４を介して駆動回路５に接続されている。 - 特許庁

A conductive wire (3) forming the word line (WL) of a memory cell (MC), and a conductive wire (5) forming a memory cell cell plate electrode (CP), are made on the same wiring layer.例文帳に追加

メモリセル（ＭＣ）のワード線（ＷＬ）を形成する導電線（３）とメモリセルセルプレート電極（ＣＰ）を形成する導電線（５）を、同一配線層に形成する。 - 特許庁

A conductive line (3) forming a word line (WL) of a memory cell (MC) and a conductive line (5) forming a memory cell plate electrode (CP) are formed in different wiring layers.例文帳に追加

メモリセル（ＭＣ）のワード線（ＷＬ）を形成する導電線（３）とメモリセルセルプレート電極（ＣＰ）を形成する導電線（５）とを、異なる配線層に形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which the body part of a TFT is made common to a floating gate electrode of a memory cell Tr, and its manufacture.例文帳に追加

ＴＦＴのボディー部をメモリセルＴｒのフローティングゲート電極と共通化した不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a principal process, the charge storage film and memory gate electrode are formed after ion implantation D01 for forming the memory source-drain region SDm is carried out.例文帳に追加

本工程では、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成するためのイオン注入Ｄ０１を施した後に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを形成する。 - 特許庁

To realize a flash memory wherein a leakage current is reduced through an inter-gate-electrode insulating film thereof.例文帳に追加

ゲート電極間絶縁膜中を流れるリーク電流の低減化を図ったフラッシュメモリを実現すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a recess-type control gate electrode and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

リセス型制御ゲート電極を備える半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The first memory film is provided between the first and the second electrode films, and the first and the second semiconductor pillars.例文帳に追加

第１メモリ膜は、第１、第２電極膜と、第１、第２半導体ピラーとの間に設けられる。 - 特許庁

The conductor film 4 forms a floating gate electrode FG and functions as the charge accumulator of a nonvolatile memory.例文帳に追加

導体膜４は、浮遊ゲート電極ＦＧとなり、不揮発性メモリの電荷蓄積部として機能する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SINGLE GATE ELECTRODE CORRESPONDING TO A PAIR OF CHANNEL REGIONS AND RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

一対のチャンネル領域に対応する単一ゲート電極を有する半導体素子及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

To provide a phase change memory element connected to the edge part of a thin film electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄膜電極に周囲で接続した相変化メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of selecting a memory material employed for an RRAM device and an associated electrode material.例文帳に追加

ＲＲＡＭ装置に用いるメモリ材料及び付随する電極材料の選択方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing flash memory device, with which the coupling ratio of a gate electrode can be improved.例文帳に追加

ゲート電極のカップリング比を高くすることができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory which can prevent an etching residue on side walls of an element isolation insulating film when a floating gate electrode is formed.例文帳に追加

浮遊ゲート電極形成時に素子分離絶縁膜の側壁に残渣が発生しないようにする。 - 特許庁

To make compatible both the lowering of the resistance of a gate electrode using a cobalt silicide and the stabilizing of memory cell transistor characteristics.例文帳に追加

コバルトシリサイドによるゲート電極の低抵抗化とメモリセルトランジスタ特性の安定化とを両立する。 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND METHOD OF FORMING ELECTRODE OF THE SAME例文帳に追加

抵抗性メモリ素子、抵抗性メモリ素子の製造方法、及び、抵抗性メモリ素子の電極形成方法 - 特許庁

A lower electrode 11a of a memory cell capacitor is formed in an interlayer insulating film 9 in a DRAM region 100.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域１００の層間絶縁膜９にメモリセルキャパシタの下部電極１１ａが形成される。 - 特許庁

In a stack type nonvolatile semiconductor memory, the prescribed voltage is applied to a control gate electrode 5.例文帳に追加

スタック型不揮発性半導体記憶装置において、制御ゲート電極５に所定電圧を印加する。 - 特許庁

To improve the reliability in a semiconductor device including a flash memory having an auxiliary gate electrode structure.例文帳に追加

補助ゲート電極構成を持つフラッシュメモリを有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

This nonvolatile memory device includes a lower side electrode 130 extending in a first direction, an upper side electrode 230 positioned in the upper part of the lower side electrode 130 while extending in a second direction intersecting the first direction, and a memory part 300 provided between the lower side electrode 130 and the upper side electrode 230 while using a metal oxide and a phase change material.例文帳に追加

第１の方向に延在する下側電極１３０と、下側電極１３０の上方に位置し、第１の方向と交差する第２の方向に延在する上側電極２３０と、下側電極１３０と上側電極２３０との間に設けられた金属酸化物や相変化材料を用いた記憶部３００と、を備える。 - 特許庁

This nonvolatile memory (2) is composed so that a plurality of nonvolatile memory cells are arranged in the arrayed state, each of which has a source electrode (53) and drain electrode (54) formed on a semiconductor substrate (30), a charge trap layer (52) formed on the semiconductor substrate between the source electrode and drain electrode, and a gate electrode (50) arranged on the charge trap layer.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ（２）は、半導体基板（３０）に形成されたソース電極（５３）及びドレイン電極（５４）と、ソース電極とドレイン電極間の前記半導体基板上に形成された電荷トラップ層（５２）と、電荷トラップ層上に配置されたゲート電極（５０）とを有する不揮発性メモリセルがアレイ状に複数配列されて成る。 - 特許庁

The nonvolatile memory element includes a lower electrode 12, an upper electrode 15, a recording layer 13 containing the phase changing material positioned between the lower electrode 12 and the upper electrode 15, and a block layer 14 which can block the phase change of the recording layer.例文帳に追加

下部電極１２と、上部電極１５と、下部電極１２と上部電極１５との間に設けられた相変化材料を含む記録層１３及び記録層の相変化をブロック可能なブロック層１４とを備える。 - 特許庁

The memory cell includes a first electrode 208, a second electrode 210, the storage material 212 positioned between the first electrode and the second electrode, and the nanocomposite insulator 218 contacting the storage material.例文帳に追加

メモリセルは、第１の電極２０８と、第２の電極２１０と、上記第１の電極および上記第２の電極の間に配置された記憶材料２１２と、上記記憶材料に接触しているナノコンポジット絶縁体２１８とを含む。 - 特許庁

In a gate electrode G in a memory cell region, a gate insulation film 4, a trap film 5, a block film 6 and an electrode film 7 are laminated on a silicon substrate 1.例文帳に追加

メモリセル領域のゲート電極Ｇは、シリコン基板１上にゲート絶縁膜４、トラップ膜５、ブロック膜６、電極膜７が積層されている。 - 特許庁

The phase change memory electrode can be formed with a mixture of a metal and a non-metal, the electrode having less nitrogen atoms than metal atoms.例文帳に追加

相変化メモリ電極は金属と非金属の混合物によって形成することができ、電極は金属原子よりも少ない窒素原子を持つ。 - 特許庁

A storage layer ML of a memory element RM is formed of a first layer ML1 on the side of a lower electrode BE and a second layer ML2 on the side of an upper electrode TE.例文帳に追加

メモリ素子ＲＭの記憶層ＭＬを、下部電極ＢＥ側の第１の層ＭＬ１と上部電極ＴＥ側の第２の層ＭＬ２で形成する。 - 特許庁

A capacitor consisting of a lower electrode 8, a capacitance insulation film 9, and a cell-plate-type upper electrode 10 is formed on a memory cell region Rmem of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１のメモリセル領域Ｒmemに、下部電極８と容量絶縁膜９とセルプレート型の上部電極１０からなるキャパシタを形成する。 - 特許庁

Further, the flash memory has a shielded conductive layer 1 that is formed between the laminated gate electrode SG_1 and the laminated gate electrode SG_2 and is fixed at fixed potential.例文帳に追加

さらに、積層ゲート電極ＳＧ_1と積層ゲート電極ＳＧ_2との間に形成され、かつ一定電位に固定されたシールド導電層１を備えている。 - 特許庁

The control gate electrode may comprise a conductive sidewall SW, as shown on the drawing, or the memory gate electrode may comprise the conductive sidewall SW.例文帳に追加

図示のように制御ゲート電極を導電性サイドウォールＳＷとするほか、メモリゲート電極を導電性サイドウォールＳＷから構成してもよい。 - 特許庁

A magnetic random access memory according to an embodiment is provided with a laminate film, on which a lower electrode, a magnetoresistance effect element, and an upper electrode are sequentially laminated from a lower layer.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極、磁気抵抗効果素子、上部電極が下層から順に積層された積層膜が設けられる。 - 特許庁

A plurality of memory cells comprising the silicon thin-film 12, floating gate electrode 15, and control gate electrode are connected in series to form a NAND cell.例文帳に追加

シリコン薄膜１２、浮遊ゲート電極１５、制御ゲート電極１７を有するメモリセルが、複数個直列に接続されてＮＡＮＤセルを形成する。 - 特許庁

The phase change memory is provided with a side wall insulation film in a contact hole which is opened in an interlayer insulation film on a lower electrode and a heater electrode.例文帳に追加

本発明の相変化メモリは、下部電極上の層間絶縁膜に開口されたコンタクトホール内にサイドウォール絶縁膜と、ヒータ電極を備えている。 - 特許庁

To provide a spin transistor with a sufficient magnetoresistance change rate of a source electrode and drain electrode, and provide a semiconductor memory using such the spin transistor.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極の磁気抵抗変化率が十分大きなスピントランジスタ及びこのようなスピントランジスタを使用した半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory is equipped with a control circuit (33) having an erasing mode for applying a voltage required for the erasure to the source electrode and the gate electrode.例文帳に追加

不揮発性メモリは、ソース電極とゲート電極とに消去に必要な電圧を印加する消去モードを有する制御回路（３３）を備える。 - 特許庁

Sidewall insulating films 13a, 13b are formed on sidewalls of the control gate electrode CG and the memory gate electrode MG which do not face each other.例文帳に追加

制御ゲート電極ＣＧおよびメモリゲート電極ＭＧの互いに対向していない側の側壁上には側壁絶縁膜１３ａ，１３ｂが形成されている。 - 特許庁

To increase the reliability of a non-volatile semiconductor memory having a floating gate electrode and a control gate electrode and also to enable low-voltage rewriting and reading therein.例文帳に追加

浮遊ゲート電極と制御ゲート電極を有する不揮発性半導体記憶装置の高信頼性化、低電圧書き換え、低電圧読み出しを可能にする。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory includes a semiconductor substrate 1, a first gate electrode WG, a second gate electrode CG, a charge trapping film 22, and a tunnel insulating film 23.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリは、半導体基板１、第１ゲート電極ＷＧ、第２ゲート電極ＣＧ、電荷トラップ膜２２、及びトンネル絶縁膜２３を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a method of manufac turing the same in which the surface of a capacitor electrode is made coarse regardless of a material for a lower electrode.例文帳に追加

下部電極の材料によらず、キャパシタ電極の表面を粗面化することが可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon nitride film 14 is formed, as a film with relative intense tension stress, is formed to cover the control gate electrode 5a and the memory gate electrode 7a.例文帳に追加

その制御ゲート電極５ａおよびメモリゲート電極７ａを覆うように、引張り応力の比較的強い膜として、シリコン窒化膜１４が形成されている。 - 特許庁

A memory device comprises a memory cell array 1 in which the resistance change type memory cells M are arranged in a matrix, word lines W_1 to W_m, bit lines B_1 to B_n, plate electrode lines P_1 to P_n, and a transistor T.例文帳に追加

メモリ装置は、抵抗変化型のメモリセルＭがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ１と、ワード線Ｗ_1〜Ｗ_mと、ビット線Ｂ_1〜Ｂ_nと、プレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nと、トランジスタＴとを有する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device is provided, which is equipped with a memory string having memory cells, each of which has a channel, a first insulating film, an electric charge storage layer and a gate electrode laminated therein; and a driving section connected to the memory cells.例文帳に追加

チャネル、第１絶縁膜、電荷保持層及びゲート電極が積層されたメモリセルを有するメモリストリングと、メモリセルに接続された駆動部と、を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁