「memory electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve a ferroelectric memory device in reliability, wherein the ferroelectric memory device is provided with a ferroelectric capacitor equipped with a ferroelectric film interposed between a lower electrode and an upper electrode and arranged in memory cells.例文帳に追加

下部電極と上部電極との間に強誘電体膜を介在させた強誘電体キャパシタをメモリセルに配置した強誘電体メモリ装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a flash memory adapted to inhibit a leakage current betwwen a gate electrode with sidewall insulating films and an ohmic electrode opposite to the gate electrode, and to provide a method of manufacturing the flash memory.例文帳に追加

側壁絶縁膜を有するゲート電極とゲート電極に対向するオーミック電極との間のリーク電流を抑圧するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A memory selection gate electrode for forming a side wall is formed higher than a logic gate electrode, so that a side wall gate electrode of a self-matching split-gate memory cell becomes higher than a logic gate electrode.例文帳に追加

自己整合スプリットゲート型メモリセルのサイドウォールゲート電極高さがロジック部のゲート電極高さを上回るように、サイドウォールを形成するメモリ部選択ゲート電極をロジック部ゲート電極より高く形成する。 - 特許庁

The phase change memory cell 200a has a first electrode, a second electrode, a phase change material 204 provided between the first electrode and the second electrode.例文帳に追加

相変化メモリセル２００ａは、第１の電極、第２の電極、および第１の電極と第２の電極との間に備えられた相変化材料２０４を有している。 - 特許庁

METHOD OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH RECESS-TYPE CONTROL GATE ELECTRODE例文帳に追加

リセス型制御ゲート電極を備える半導体メモリ素子の動作方法 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENT HAVING BUFFER LAYER FORMED ON LOWER ELECTRODE例文帳に追加

下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子 - 特許庁

The memory cells 11's arranged adjacent each other on a same straight line extending to the second direction are preferably arranged in such a manner that a drain electrode 13, which is a main electrode of either one of the memory cells, is next to a source electrode 12 which is a main electrode of the other memory cell.例文帳に追加

また、第２の方向に延びる同一直線上にあって互いに隣接するメモリセル１１同士は、それぞれの一方の主電極であるドレイン電極１３と、他方の主電極であるソース電極１２とが隣り合うようにするとよい。 - 特許庁

The memory element 10 has a memory portion 14 which intervenes between the first electrode 13 and a heating heater portion 15.例文帳に追加

またメモリ素子１０は、第１の電極１３と加熱ヒータ部１５との間に介在する記憶部１４を有する。 - 特許庁

The memory gate electrode 7 of the memory transistor is connected to a word line 5, and erasure in word line units can be made.例文帳に追加

メモリトランジスタ部のメモリゲート電極（７）はワード線（５）に接続され、ワード線単位での消去が可能にされる。 - 特許庁

A first memory gate electrode MG1 consisting of a polycrystalline silicon film is formed on the gap-section side between a selective gate electrode CG and a memory gate electrode MG, and a second memory gate electrode MG2 consisting of the polycrystalline silicon film having an impurity concentration higher than that of the polycrystalline silicon film configuring the first memory gate electrode MG1 is formed on the source-region Srm side.例文帳に追加

選択ゲート電極ＣＧとメモリゲート電極ＭＧとの間のギャップ部側に多結晶シリコン膜からなる第１メモリゲート電極ＭＧ１を設け、ソース領域Ｓｒｍ側に第１メモリゲート電極ＭＧ１を構成する多結晶シリコン膜よりも不純物濃度の高い多結晶シリコン膜からなる第２メモリゲート電極ＭＧ２を設ける。 - 特許庁

A memory cell has a first electrode, a second electrode, an insulating material 206, and a phase variation material 208.例文帳に追加

メモリセルは、第１の電極、第２の電極、絶縁材料２０６、および相変化材料２０８を有している。 - 特許庁

The first electrode, the storage location, and the second electrode constitute a pillar phase change memory cell.例文帳に追加

上記第１の電極、上記記憶場所、および上記第２の電極は、ピラー相変化メモリセルを形成している。 - 特許庁

Each memory cell comprises; a variable resistance layer, a first electrode layer, a second electrode layer, and a first barrier-height control layer.例文帳に追加

メモリセルは、可変抵抗層、第１電極層、第２電極層、及び第１バリアハイト制御層を備える。 - 特許庁

LOWER ELECTRODE FOR FERROELECTRIC MEMORY, FERROELECTRIC CAPACITOR USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING LOWER ELECTRODE例文帳に追加

強誘電体メモリ用下部電極、これを用いた強誘電体キャパシタ、並びに下部電極の製造方法 - 特許庁

Then, an impurity density of the upper electrode is higher than an impurity density of the memory gate electrode MG.例文帳に追加

そして、上部電極の不純物濃度は、メモリゲート電極ＭＧの不純物濃度よりも高くなっている。 - 特許庁

The first electrode, the second electrode, and the phase change material 204 form a via or a trench memory cell.例文帳に追加

第１の電極、第２の電極、および相変化材料２０４は、ビアまたはトレンチメモリセルを形成している。 - 特許庁

To improve coupling between a floating gate electrode and a control gate electrode of a non-volatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のフローティングゲート電極とコントロールゲート電極間のカップリング比を向上させる。 - 特許庁

The memory element is provided with a bottom electrode 12; a top electrode 17 provided on the bottom electrode 12; and a recording layer 18 containing the phase change material, and connecting the bottom electrode 12 to the top electrode 17.例文帳に追加

下部電極１２と、下部電極１２上に設けられた上部電極１７と、相変化材料を含み、下部電極１２と上部電極１７とを接続する記録層１８とを備える。 - 特許庁

Memory cells are arranged so that data of one bit is stored by memory cells (MC1, MC2) of two bits, a plate electrode (CP) of a memory cell capacitor and a gate electrode (WL0-WL3) of a memory cell transistor are formed by the same manufacturing process.例文帳に追加

２ビットのメモリセル（ＭＣ１，ＭＣ２）で１ビットのデータを記憶するようにメモリセルを配置し、メモリセルキャパシタのセルプレート電極（ＣＰ）とメモリセルトランジスタのゲート電極（ＷＬ０−ＷＬ３）を同一製造工程で形成する。 - 特許庁

A switch gate electrode SG and a memory gate electrode FG are disposed separately, sidewalls 14 are formed on one side surface of a drain region Drm in the switch gate electrode SG and on one side surface of a source region Srm in the memory gate electrode FG, and an area between the switch gate electrode SG and the memory gate electrode FG is embedded with an insulation film 14a.例文帳に追加

スイッチゲート電極ＳＧとメモリゲート電極ＦＧとを離間して配置し、スイッチゲート電極ＳＧのドレイン領域Ｄｒｍ側の片側面およびメモリゲート電極ＦＧのソース領域Ｓｒｍ側の片側面にそれぞれサイドウォール１４を形成し、スイッチゲート電極ＳＧとメモリゲート電極ＦＧとの間は絶縁膜１４ａにより埋め込む。 - 特許庁

A word line 1104 serves as the gate electrode of a memory element on the same row.例文帳に追加

同一行のメモリ素子のゲート電極はワード線１１０４で兼用している。 - 特許庁

A read electric potential Vgr is given to a control gate electrode of the memory cell M1.例文帳に追加

メモリセルＭ１のコントロールゲート電極には、読み出し電位Ｖｇｒを与える。 - 特許庁

A sidewall 4A is formed on the side of the memory gate electrode MG.例文帳に追加

このメモリゲート電極ＭＧの側面にはサイドウォール４Ａが形成されている。 - 特許庁

The porous dielectric layer is formed between the phase change memory and the first electrode.例文帳に追加

多孔質誘電層は、相変化層と第１電極との間に形成される。 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY APPLIED WITH ALN HEAT DISSIPATING LAYER AND TIN LOWER ELECTRODE例文帳に追加

ＡｌＮ熱放出層及びＴｉＮ下部電極が適用された相変化メモリ - 特許庁

The memory device includes an insulation film, an active pattern, a gate insulation film and a gate electrode.例文帳に追加

メモリ素子は、絶縁膜、アクティブパターン、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を含む。 - 特許庁

A transistor electrode is formed, where the transistor electrode has a polysilicon single-layer structure, extends a floating gate electrode 8 in an active region, reads the data of the semiconductor non-volatile memory, and is used as a write electrode for rewriting the data of the non-volatile memory and an erasure electrode.例文帳に追加

ポリシリコン１層構造で、活性領域にフローティングゲート電極８を延設し半導体不揮発メモリのデータを読み出すトランジスタ電極を形成し、トランジスタ電極を不揮発性メモリのデータを書き換える書込み電極と消去電極として用いる。 - 特許庁

The memory device comprises a lower electrode; an upper electrode; and the memory layer disposed between the upper electrode and the lower electrode, containing a mesoporous material and having the nanochannels including the metal nanoparticles or the metal ions.例文帳に追加

下部電極、上部電極、および前記上部電極と前記下部電極との間に位置し、多孔性物質を含み、金属ナノ粒子または金属イオンを含むナノチャンネルを有するメモリ層を備える、メモリ素子を提供する。 - 特許庁

In a memory element 1 laminated with a lower electrode 10, a memory layer 20, and an upper electrode 30 in this order, the memory layer 20 has a resistance changing layer 22, and an ion source layer 21 including moving atoms.例文帳に追加

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０は抵抗変化層２２と、可動原子を含むイオン源層２１とを有する。 - 特許庁

At this time, the sidewall memory gate electrode MGs and the single memory gate electrode MGu are formed in the same process, and the control gate electrode CGs and the sidewall memory gate electrode MGs are formed so as to be adjacently disposed to each other in a state of being electrically isolated from each other.例文帳に追加

その際、側壁メモリゲート電極ＭＧｓとシングルメモリゲート電極ＭＧｕとは同一の工程で形成し、制御ゲート電極ＣＧｓと側壁メモリゲート電極ＭＧｓとは、互いに電気的に絶縁された状態で、互いに隣り合って配置されるようにして形成する。 - 特許庁

To provide a memory card connector capable of easily pulling out a memory card even if size and thickness of a memory card are reduced, preventing static discharge to a terminal to be electrically connected to an electrode of the memory card when mounting the memory card.例文帳に追加

メモリカードが小型化・薄型化しても容易に引き抜き可能に装着できるとともに、メモリカードを装着する際に、メモリカードの電極に電気的に接続する端子側への静電気放電を防止すること。 - 特許庁

To improve the data read rate of a non-volatile semiconductor memory device using a floating gate electrode MOS transistor as a memory cell.例文帳に追加

浮遊ゲート電極型ＭＯＳトランジスタをメモリセルとする不揮発性半導体記憶装置の読み出し速度を速くする。 - 特許庁

To provide a memory device lowering a contact resistance between a silicon diode and an electrode film, and to provide a method of manufacturing the memory device.例文帳に追加

シリコンダイオードと電極膜との間のコンタクト抵抗が低い記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Prior to forming a peripheral circuit, an electrode for a memory cell is formed and a first contact for the memory cell is formed.例文帳に追加

周辺回路の形成に先立って、メモリセルの電極を形成すると共に、メモリセルの第１のコンタクトを形成する。 - 特許庁

NONVOLATILE FERROELECTRIC VERTICAL ELECTRODE CELL, NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE UTILIZING VERTICAL ELECTRODE CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL ELECTRODE CELL例文帳に追加

不揮発性強誘電体垂直電極セルと垂直電極セルを利用した不揮発性強誘電体メモリ装置、及びその垂直電極セルの製造方法 - 特許庁

The memory cell has a second electrode facing a plug-state first electrode with a memory material layer inserted therebetween, and the memory material layer has a projection or a recess, in the vicinity of a part facing the plug-state electrode.例文帳に追加

本発明の骨子は、プラグ状の第１の電極とメモリ材料層を挟んで対向する、広がりを持った第２の電極を有し、前記メモリ材料層が、上記プラグ状電極に対向する部分の近傍に凸部又は凹部を有することである。 - 特許庁

Insulating films 5 with charge storage layers 5b formed therein are formed between a memory gate electrode MG6n and a p-type well PW1 and between a control gate electrode CG4n and a memory gate electrode MG6n of a split-gate type nonvolatile memory.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性メモリのメモリゲート電極ＭＧ６ｎとｐ型ウエルＰＷ１との間および制御ゲート電極ＣＧ４ｎとメモリゲート電極ＭＧ６ｎとの間には、内部に電荷蓄積層５ｂを有する絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

The nonvolatile memory element has a structure in which the lower electrode 2, the metal oxide 3, an insulating film 5 and the upper electrode 4 are stacked in sequence.例文帳に追加

下部電極２、金属酸化物３、絶縁膜５、及び、上部電極４を順次積層した構造を有する。 - 特許庁

A memory layer 17 and an upper electrode 18 are formed on a lower electrode 14 and an interlayer insulating film 15.例文帳に追加

下部電極１４および層間絶縁膜１５上に記憶層１７および上部電極１８が形成されている。 - 特許庁

An electrode SD is disposed on a seating electrode SDD connected to the other of the source and the drain of the memory transistor.例文帳に追加

メモリトランジスタのソース及びドレインの他方に接続される台座電極ＳＤＤ上には、電極ＳＤが設けられる。 - 特許庁

A memory cell has a first electrode 202, a second electrode 206, and a phase variation material 204 sandwiched between the first electrode 202 and the second electrode 206.例文帳に追加

メモリセルは、第１の電極２０２、第２の電極２０６、および上記第１の電極２０２と上記第２の電極２０６との間にある相変化材料２０４を含んでいる。 - 特許庁

To provide a phase change memory device having a bottom electrode and a forming method thereof.例文帳に追加

下部電極を有する相変化記憶素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulating film 5d is contact with the memory gate electrode MG6n made of polysilicon.例文帳に追加

この絶縁膜５ｄは、ポリシリコンからなるメモリゲート電極ＭＧ６ｎに接している。 - 特許庁

The memory state of the memory cell is determined in accordance with a change of the voltage between the first electrode and the second electrode at the charge or discharge of the read capacity.例文帳に追加

そして、上記読み出し容量の充電または放電時における第１電極と第２電極との間の電圧変化に基づいて、メモリセルの記憶状態を判定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses deterioration of characteristics in a selection transistor memory even when a metallic silicide electrode is used as a control gate electrode of a memory cell transistor.例文帳に追加

メモリセルトランジスタの制御ゲート電極として金属シリサイド電極を用いても選択トランジスタメモリの特性劣化を抑制できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁