millimeter wave resonatorとは 意味・読み方・使い方

To provide a millimeter-wave oscillator which solves such a problem that, in a millimeter-wave oscillator mounted with a Gunn diode component on a millimeter-wave resonator substrate, an inferior heat dissipation of a semiconductor substrate constituent of the Gunn diode causes a temperature rise in an active layer of the Gunn diode during operation, resulting in a marked drop on a millimeter-wave output.例文帳に追加

ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。 - 特許庁

To solve the problem that, in a millimeter wave oscillator in which a Gunn diode element is mounted on a millimeter wave resonator substrate, a semiconductor substrate which constitutes the Gunn diode has a bad heat dissipation property, increases the temperature of a Gunn diode active layer during operation and thereby remarkably reduces the millimeter wave output.例文帳に追加

ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。 - 特許庁

To provide a structure for connection with a microstrip without forming an input/output electrode in a dielectric waveguide resonator to easily utilize the dielectric waveguide resonator for an electronic circuit even in millimeter wave bands.例文帳に追加

誘電体導波管共振器に入出力電極を形成せずにマイクロストリップと接続する構造を提供し、それによってミリ波帯においても誘電体導波管共振器の電子回路への利用を容易にする。 - 特許庁

By separating the semiconductor substrate having a bad thermal conductivity from the Gunn diode, heat generated by the Gunn diode active layer of the thin film Gunn diode element 1 can be easily dissipated to the millimeter wave resonator substrate side, resulting in the suppression in rise in temperature of the Gunn diode and subsequent stabilization of millimeter wave output strength.例文帳に追加

ガンダイオードから熱伝導性の低い半導体基板を分離したことによって、薄膜ガンダイオード素子１のガンダイオード活性層で発生した熱を容易にミリ波共振器基板側へ放熱することが可能であり、ガンダイオードの温度上昇を抑制してミリ波出力強度を安定化することができる。 - 特許庁

The millimeter-wave oscillator has a thin film Gunn diode component 1 formed of a first n+ layer, an n layer, and a second n+ layer of thin film semiconductor successively stacked, mounted on the resonator substrate on which a resonator made up of metal layers (a signal electrode 3 and a ground electrode 4) is formed on an upper face of a dielectric substrate 2.例文帳に追加

誘電体基板２の上面に金属層から成る共振器（信号電極３および接地電極４）が形成された共振器基板上に、薄膜半導体の第１のｎ＋型層，ｎ型層および第２のｎ＋型層を順次積層して成る薄膜ガンダイオード素子１を搭載して成るミリ波発振器である。 - 特許庁

To obtain ceramic for high-frequency which can be sintered at a relatively low temperature, has a low dielectric constant and a high Q value, and is advantageously used in a support stand for a dielectric antenna and a dielectric resonator, and circuit parts for high-frequency applied in high-frequency zones such as a microwave band zone and a millimeter wave band zone.例文帳に追加

マイクロ波帯やミリ波帯といった高周波領域で使用される誘電体アンテナ、誘電体共振器のための支持台および高周波用回路部品において有利に用いられ、比較的低温で焼結させることができ、比誘電率が低く、かつ高いＱ値を示す、高周波用磁器を提供する。 - 特許庁