nウェルの英語

Furthermore, an N-well 6 is formed in a peripheral PMOS Tr 53 region.例文帳に追加

さらに、周辺PMOSTr53領域には、Nウェル6が形成されている。 - 特許庁

A deep N-well 4 is formed in a memory cell Tr 50 region of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1のメモリセルTr50領域には、ディーフ゜Nウェル4が形成されている。 - 特許庁

As a result, a silicon region exposed which is capable of generating a current in a region adjacent to the node circuit becomes a minimum, and the guard ring 164 captures the photocurrent generated outside of the node circuit 154.例文帳に追加

その結果、記憶ノード回路に隣接する領域に電流を生成させ得る露出されたシリコン領域が最小限になり、nウェルガードリング164は、記憶ノード回路154の外部で生成された光電流を捕捉する。 - 特許庁

In order to protect against photocurrents generated by a storage node circuit 154, an n-type well guard ring 164 is disposed at a place as near as to a transistor or another element in the node circuit 154.例文帳に追加

記憶ノード回路154の外部で生成された光電流に対する保護を行なうために、nウェルガードリング164が、記憶ノード回路154内のトランジスタその他の素子に可能な限り近接して配置される。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is formed as a part of the constitution that pre-designed circuit components, i.e., M-cannel MOS transistors 1, p-channel MOS transistors 2 and n-wells 3 are coupled through wirings.例文帳に追加

半導体集積回路は、予め設計された回路部品であるＭチャンネルＭＯＳトランジスタ１，PチャンネルＭＯＳトランジスタ２およびNウェル３が配線により結合され構成内容の一部として形成される。 - 特許庁

With such a structure, since the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as TFT on the first interlayer insulating film 11 on the peripheral regions of the peripheral NMOS Tr 52 and the peripheral PMOS Tr 53, a dedicated deep N-well is dispensed with.例文帳に追加

かかる構成においては、負電圧NMOSTr50は、周辺NMOSTr52および周辺PMOSTr53の周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されているため、専用のディープNウェルが不要となる。 - 特許庁