nano-patterningとは 意味・読み方・使い方

To provide a new patterning method enabling scalable nano arrangement-wiring freely and easily.例文帳に追加

自由自在に、容易に、かつスケーラブルなナノ配列・配線を可能とする新規なパターニング方法を提供することを課題としている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nano-carbon material composite substrate capable of favorably patterning and growing a nano-carbon material on a substrate.例文帳に追加

本発明は、基板にナノ炭素材料を好適にパターニングして成長させること出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for nano-patterning by incorporating one or more block copolymers and one or more nano-imprinting steps in a fabrication process.例文帳に追加

１つ以上のブロック共重合体および１つ以上のナノインプリントステップを製造プロセスに組込むことによってナノパターン化するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of nano-patterning using surface plasmon, a method of manufacturing a master for nano-imprint and a discrete track magnetic recording medium using the same.例文帳に追加

表面プラズモンを利用したナノパターニング方法、これを利用したナノインプリント用マスター及び離散トラック磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A fine particle string 14 formed of fine particles 13 of a nano meter size is deposited, whereby in manufacturing the nano device, a solution containing the fine particles 13 is brought into contact with the substrate 11 in which a patterning layer 12 with a predetermined film thickness is partially formed.例文帳に追加

ナノメータサイズの微粒子１３からなる微粒子列１４を堆積させることにより、ナノデバイスの作製する際に、所定の膜厚で構成されるパターニング層１２が部分的に形成されてなる基板１１に対して微粒子１３を含む溶液を接触させる。 - 特許庁

A patterning interconnect line employing nano copper metal particles is formed on a substrate by a direct writing system and then metal surface oxide film of that interconnect line is reduced by atomic hydrogen and/or organic substances are removed therefrom.例文帳に追加

本発明は、基板上にナノ銅金属粒子を用いたパターニング配線を直描方式により形成し、この配線に対して、原子状水素により金属表面酸化膜の還元、及び又は、有機物の除去の処理をする。 - 特許庁

It is desirable to manufacture the template 1 made of resin by carrying out a patterning on a front surface of a PE sheet 1a laminated on a PMMA sheet 1b by a thermal cycling nano imprint method.例文帳に追加

樹脂製テンプレート１は、ＰＭＭＡシート１ｂ上にラミネートされたＰＥシート１ａの表面に熱サイクルナノインプリント法でパターニングすることにより作製するとよい。 - 特許庁

By continuously patterning the second composite nano-crystalline layer 6, the semiconductor layer 3b, and the conductive layer 12a, a pattern of a drift part 6, a polycrystalline silicon layer 3, and an lower electrode 12 is formed.例文帳に追加

次に、第２の複合ナノ結晶層６ａおよび半導体層３ｂおよび導電性層１２ａを連続的にパターニングすることでドリフト部６および多結晶シリコン層３および下部電極１２をパターン形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁