p-type conductivityとは 意味・読み方・使い方

The first region 13a-1 includes a ridge portion of p-type conductivity.例文帳に追加

第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。 - 特許庁

Herein, any one of a p-type or an n-type is assumed first conductivity, and the other second conductivity.例文帳に追加

ただし、ｐ型またはｎ型のいずれか一方が第１導電型で他方が第２導電型であるとする。 - 特許庁

A sidewall P-conductivity-type region 4b having an impurity concentration higher than that of the front-surface-side P-conductivity-type regions 4a is formed on the surface-layer part of the sidewall of a second trench that reaches the P-conductivity-type region 2a piercing the front-surface-side P-conductivity-type regions 4a.例文帳に追加

このおもて面側Ｐ導電型領域４ａを貫通してＰ導電型領域２ａに達する第２トレンチの側壁の表層部には、おもて面側Ｐ導電型領域４ａよりも不純物濃度が高い側壁Ｐ導電型領域４ｂが設けられている。 - 特許庁

The substrate 20 is a P-conductivity silicon substrate and an N- conductivity silicon well 22 is formed in the P-type substrate 20.例文帳に追加

基板はＰ導電型のシリコンであり、Ｐ型基板２０内にはＮ型導電型のシリコン・ウェル２２が形成される。 - 特許庁

The nMOS protection circuit 1g comprises a transistor formation portion 10 and a p^+-type well tap region 30 that are formed in a p-type (second-conductivity-type) well 4 so as to be apart from each other.例文帳に追加

nMOS保護回路１ｇはp型（第２導電型）ウェル４内に互いに離間して形成されているトランジスタ形成部１０とp^+型ウェルタップ領域３０を備えている。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。 - 特許庁

The guard ring 30 is made of a second-conductivity-type p-type GaN to the GaN layer 13.例文帳に追加

ガードリング３０は、ＧａＮ層１３とは第２導電型のｐ型ＧａＮからなる。 - 特許庁

To increase the conductivity of a p-type buried layer.例文帳に追加

ｐ型埋込み層の伝導性を増加させる技術を提供すること。 - 特許庁