P-type diamondとは意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「P-type diamond」の意味

P-type diamond

p型ダイヤモンド

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「P-type diamond」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 21件

例文

A p-type diamond thin film formed by a CVD method from a carbon source is subjected to an inert gas, thereby converting it into an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加

炭素源からのＣＶＤ法により形成されたｐ型ダイヤモンド薄膜を不活性ガスに曝すことでｎ型ダイヤモンド半導体に変換する。 - 特許庁

An emitter electrode 1 uses a p-type diamond semiconductor, and a collector electrode 2 uses an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加

エミッタ電極１にｐ型ダイヤモンド半導体を用いると共に、コレクタ電極２にｎ型ダイヤモンド半導体を用いている。 - 特許庁

What is more, the first diamond layer 1 is composed of, for example, an undoped diamond, and the second diamond layer 2 is doped with, for example, boron (B), and the second diamond layer 2 is a p-type semiconductor.例文帳に追加

なお、第１のダイヤモンド層１は、例えばアンドープ・ダイヤモンドから構成されており、第２のダイヤモンド層２には、例えばボロン（Ｂ）がドーピングされ、第２のダイヤモンド層２はｐ型半導体となっている。 - 特許庁

A p-type semiconductor diamond layer 3 serving as a light emitting layer is selectively formed on the high resistive diamond layer 2.例文帳に追加

また、高抵抗ダイヤモンド層２上には、発光層となるｐ型半導体ダイヤモンド層３を選択的に形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE SURFACE CONDUCTIVE LAYER ON OXYGEN-TERMINATED (111) DIAMOND例文帳に追加

酸素終端（１１１）ダイヤモンド上におけるｐ型表面伝導層の製造方法。 - 特許庁

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

例文

The diamond electron emitting element comprises a diamond substrate 1, a diamond n-type semiconductor layer 2 formed on the diamond substrate 1, a diamond p-type semiconductor layer 3 formed on the diamond n-type semiconductor layer 2, ohmic electrodes 4, 5 respectively formed on surfaces 2a, 3a of the diamond n-type semiconductor layer 2 and the diamond p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ダイヤモンド下地基板１と、該ダイヤモンド下地基板１上に形成したダイヤモンドｎ型半導体膜２の層と、該ダイヤモンドｎ型半導体膜層上に形成したダイヤモンドｐ型半導体膜３の層と、前記ダイヤモンドｎ型半導体膜２の層及び前記ダイヤモンドｐ型半導体膜３の層のそれぞれの表面２ａ，３ａに形成したオーミック電極４，５とにより、ダイヤモンド電子放出素子を構成した。 - 特許庁

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