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p-type siliconとは 意味・読み方・使い方

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日英・英日専門用語辞書での「p-type silicon」の意味

p-type silicon


「p-type silicon」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 925



例文

p-TYPE SILICON WAFER例文帳に追加

p型シリコンウェーハ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE SILICON CARBIDE LAYER例文帳に追加

p型シリコンカーバイド層の製造方法 - 特許庁

The silicon substrate 40 has a first conductive type (p-type).例文帳に追加

シリコン基板40は、第1導電型(p型)を有する。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

p型シリコン窒化膜3は、n型シリコン酸化膜2に接して形成され、n型シリコン酸化膜2およびp型シリコン窒化膜3は、p−n接合を形成する。 - 特許庁

A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加

シリコン基板1上に、Pウエル2、Nウエル3を互いに隣接して形成する。 - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

p^+ 型シリコン基板1の上に、n^- 型シリコン層2、n^+ 型シリコン層3、n^- 型シリコン層4が形成されている。 - 特許庁

例文

P-TYPE SILICON WAFER AND METHOD FOR HEAT-TREATMENT THEREOF例文帳に追加

P型シリコンウェーハおよびその熱処理方法 - 特許庁

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「p-type silicon」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 925



例文

METHOD FOR FORMING HOLE OR GROOVE ON p-TYPE SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

p型シリコン基板への穴溝形成方法 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING CONCENTRATION OF P-TYPE SILICON WAFER CARRIER例文帳に追加

p型シリコンウェーハのキャリア濃度低下方法 - 特許庁

A first p type polycrystal silicon film, a tunnel oxide film and a second p type polycrystalline silicon film are sequentially laminated on a gate region.例文帳に追加

ゲート領域には第一のp型多結晶シリコン膜/トンネル酸化膜/第二のp型多結晶シリコン膜の順に積層されている。 - 特許庁

The active pixel sensor including an N well 14 of n-type silicon and a P well 22 of p-type silicon formed on a p-type silicon substrate 10 is formed in the N well.例文帳に追加

p型シリコン基板10に形成されたn型シリコンのNウェル14、およびp型シリコンのPウェル22を含む能動画素センサを、Nウェルに形成する。 - 特許庁

The field effect transistor is formed on a p-type silicon carbide substrate 11 or a p-type silicon carbide substrate, having a p-type silicon carbide buffer layer 12.例文帳に追加

p型炭化珪素基板11またはp型炭化珪素バッファ層12を有する炭化珪素基板上に形成してなる電界効果トランジスタ。 - 特許庁

A buried region of p^+ silicon carbide is provided on the p-type silicon carbide well region.例文帳に追加

p^+シリコンカーバイドの埋込み領域が、p型シリコンカーバイドウェル領域に設けられる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL AND P-DOPED N TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

Pドープシリコン単結晶の製造方法及びPドープN型シリコン単結晶ウェーハ - 特許庁

例文

To efficiently produce a P-type doped silicon precursor.例文帳に追加

P型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。 - 特許庁

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