「P-type diamond」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

The diamond electron emitting element comprises a diamond substrate 1, a diamond n-type semiconductor layer 2 formed on the diamond substrate 1, a diamond p-type semiconductor layer 3 formed on the diamond n-type semiconductor layer 2, ohmic electrodes 4, 5 respectively formed on surfaces 2a, 3a of the diamond n-type semiconductor layer 2 and the diamond p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ダイヤモンド下地基板１と、該ダイヤモンド下地基板１上に形成したダイヤモンドｎ型半導体膜２の層と、該ダイヤモンドｎ型半導体膜層上に形成したダイヤモンドｐ型半導体膜３の層と、前記ダイヤモンドｎ型半導体膜２の層及び前記ダイヤモンドｐ型半導体膜３の層のそれぞれの表面２ａ，３ａに形成したオーミック電極４，５とにより、ダイヤモンド電子放出素子を構成した。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diamond semiconductor for obtaining a high-quality P-type/N-type diamond semiconductor which can not be obtained by a conventional method by preventing the etching of a diamond surface caused by the high-temperature/high-pressure annealing of an ion-implanted diamond.例文帳に追加

イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a light-emitting device achieving improved luminous efficiency in a boron-doped diamond layer (p-type diamond layer) by suppressing the outflow of a hole existing in the boron-doped diamond layer and emitting ultraviolet rays and visible rays having high brightness.例文帳に追加

ホウ素ドープダイヤモンド層（ｐ形ダイヤモンド層）に存在する正孔の流出を抑制して、ホウ素ドープダイヤモンド層での発光効率を向上させ、高輝度の紫外線や可視光線を発する発光素子を提供する。 - 特許庁

A diamond crystal layer 1 having p-type or n-type conductivity is grown by a CVD device etc.例文帳に追加

ｐ型またはｎ型の伝導性を有するダイヤモンド結晶層１をＣＶＤ装置などで成長させる。 - 特許庁

An N-type diamond semiconductor crystal layer 4, doped with sulfur which serves as donor atoms, is formed through a CVD method on a P-type diamond semiconductor crystal 2 which is formed of high-pressure synthetic diamond doped with boron or natural IIb diamond to form a P-N junction 6.例文帳に追加

ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のＩＩｂ型ダイヤモンドから形成されたｐ型ダイヤモンド半導体結晶２上に、例えばプラズマＣＶＤ法によってドナー原子となるイオウをドープしたｎ型ダイヤモンド半導体結晶層４を成長させてｐｎ接合６を形成したものである。 - 特許庁

An electrode 6 for applying the electric field to the light emitting layer together with the electrode 5 is formed on the p-type semiconductor diamond layer 3.例文帳に追加

更にまた、ｐ型半導体ダイヤモンド層３上に、電極５と共に発光層に電界を印加する電極６を形成する。 - 特許庁

A capacitor composed of a structure of a p-type diamond (13), a fluoride (14), a PZT (15) and a metal (16) is also provided.例文帳に追加

更に、ｐ型ダイヤモンド（１３）／フッ化物（１４）／ＰＺＴ（１５）／金属（１６）構造からなるキャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a p-type surface conductive layer on a (111) homoepitaxial diamond thin film.例文帳に追加

(111)ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜上におけるｐ型表面伝導層の製造方法を提供する。 - 特許庁

The low resistance n-type semiconductor diamond can be obtained by controlling the lithium atomic concentration C_Li and the phosphorous atomic concentration C_P to be C_Li≤C_P when both of the lithium concentration C_Li and the phosphorous concentration C_P are ≥10^17/cm^3.例文帳に追加

リチウム原子濃度Ｃ_Ｌｉとリン原子濃度Ｃ_Ｐとが共に１０^１７ｃｍ^−３以上であり、Ｃ_Ｌｉ≦Ｃ_Ｐとすれば、低抵抗なｎ型半導体ダイヤモンドを得ることができる。 - 特許庁

A diamond semiconductor light-emitting device has a structure where a boron-doped p-type diamond layer, a hole-outflow blocking layer having a band gap exceeding 5.47 eV and formed of an oxide, a fluoride or a mixture of an oxide and an fluoride, and an electron injection layer are sequentially stacked.例文帳に追加

ホウ素がドープされたｐ形ダイヤモンド層と、バンドギャップが５．４７ｅＶ超であり、酸化物、フッ化物、またはこれらの混合物からなる正孔流出阻止層と、電子注入層とが順次積層された構造を有することを特徴とするダイヤモンド半導体発光素子。 - 特許庁

To provide a process for synthesizing a diamond-like carbon film which can be synthesized at a low cost and can be applied, in a uniform thickness, onto a member having a surface of a given shape, and a process for synthesizing the diamond-like carbon film having a p- or n-type conductivity.例文帳に追加

低コストで合成でき、任意形状の表面を有する部材にも均一な厚さで被覆することができるダイヤモンド状炭素膜の合成方法並びにｐ型及びｎ型の導電性を有するダイヤモンド状炭素膜の合成方法を提供する。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

The piezoresistor uses, as a semiconductor material, diamond having p-type semiconductor characteristics, at least part of whose surface termination is hydrogen-terminated.例文帳に追加

半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたｐ型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a practical p type diamond semiconductor device in which hole concentration is 1.0×10^15 cm^-3 or above at a room temperature (300 K) or above, and also, dopant atom concentration is 1.0×10^21 cm^-3 or below, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

室温（３００Ｋ）以上において正孔濃度が１．０×１０^１５ｃｍ^‐3以上で、かつ、ドーパント原子濃度が１．０×１０^２１ｃｍ^‐3以下である実用的なｐ型ダイヤモンド半導体デバイスとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A transparent oxide electrode 12 is provided on an insulating substrate, on which a diamond-like carbon layer 14, micro crystal p-type semiconductor layer 16, amorphous intrinsic semiconductor layer 20 and amorphous n-type semiconductor layer 22 are sequentially provided, with a metal electrode layer 24 provided on the amorphous n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加

絶縁性基板上に透明酸化物電極１２を設け、その透明酸化物電極上にダイヤモンドライクカーボン層１４と微結晶ｐ型半導体層１６と非晶質真性半導体層２０と非晶質ｎ型半導体層２２とを順次設け、非晶質ｎ型半導体層２２の上に金属電極層２４とを設ける太陽電池装置およびその製造方法。 - 特許庁