photo-sensitive cellとは 意味・読み方・使い方

The photo-sensitive cell includes a photo-diode 1, a transfer gate 2, a floating spreading layer part 3, an amplification transistor 4 and a reset transistor 5.例文帳に追加

感光セルは、フォトダイオード１、転送ゲート２、フローティング拡散層部３、増幅トランジスタ４、およびリセットトランジスタ５を含んでいる。 - 特許庁

The invention relates to the caged peptides having a photo sensitive group removable by irradiation with UV ray in RGD unit and converted into the cell adhesive peptides by irradiation with UV ray.例文帳に追加

紫外線照射により除去可能な光感受性基をRGDユニットに有し、紫外線照射により、細胞接着ペプチドに変換可能なケージドペプチド。 - 特許庁

A drain of the amplification transistor in each photo-sensitive cell is connected to a power supply line 10, and a pulse-like power supply voltage VddC is applied to the power supply line 10.例文帳に追加

各感光セルの増幅トランジスタ４のドレインは電源ライン１０に接続され、電源ライン１０にはパルス状の電源電圧ＶｄｄＣが印加される。 - 特許庁

In the dye-sensitized solar cell in which a particle film is formed on a surface of conductive transparent glass and a plastic surface, formed by absorbing or bonding dyes on a surface of a particle surface, electrolyte components are solidified and gelated by a photo-sensitive water-soluble resin.例文帳に追加

導電性を有する透明ガラスおよびプラスチック表面に粒子膜を成膜し、粒子膜の表面に色素を吸着又は結合させて形成される色素増感太陽電池において、電解質成分が感光性水溶性樹脂により固化・ゲル化された色素増感太陽電池。 - 特許庁

The technology of the semiconductor element manufacturing method includes a process, especially, of burying the insulating film between gate patterns in place of the photo-sensitive film when implanting the ions into the semiconductor substrate of lower portion of the bit line contact area, etching it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, preventing the leakage current of the cell transistor.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる技術である。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.例文帳に追加

ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁