photo-transistorsとは 意味・読み方・使い方

A shunt circuit is constituted of a current mirror circuit composed of e.g. pnp transistors P1, P2, Pa and an operational amplifier OP1, and shunts a photo current IPD from a photo diode PD.例文帳に追加

たとえば、ＰＮＰトランジスタＰ１，Ｐ２，ＰａおよびオペアンプＯＰ１からなるカレントミラー回路によって分流回路を構成し、フォトダイオードＰＤからの光電流ＩＰＤを分流する。 - 特許庁

The group of infrared ray sensors 12 are constituted of infrared photo-diodes, infrared photo-transistors, and the like, and detect infrared rays emitted from both of the right and left arms, wrists, palms, roots of fingers, and the like of the player.例文帳に追加

赤外線センサ群１２は、赤外線フォトダイオード、赤外線フォトトランジスタなどで構成され、演奏者の左右両手の腕、手首、掌、指の付け根などから発する赤外線をそれぞれ検知する。 - 特許庁

The touch panel includes a plurality of pixels each of which has a photo-sensor including first and second transistors including a photo-diode and an oxide semiconductor layer.例文帳に追加

タッチパネルは、フォトダイオードと酸化物半導体層を含む第１及び第２のトランジスタとを有するフォトセンサが各々設けられた複数の画素を有する。 - 特許庁

Related to first, second, and third photo- couplers 4, 5, and 6, light-emitting diodes 4a, 5a, and 6a and photo-transistors 4b, 5b, and 6b are counter-allocated with the rotational locus of the slit 3 in between.例文帳に追加

第１、第２及び第３のホトカプラ４、５、６は、発光ダイオード４ａ、５ａ、６ａとホトトランジスタ４ｂ、５ｂ、６ｂとがスリット３の回転軌跡を挟んた状態で対向配置される。 - 特許庁

Each of the plurality of the first transmission transistors transmits a plurality of electric charges formed under each of the first photo gates of the plurality of pairs of photo gates to the first shared floating diffusion region according to a first control signal.例文帳に追加

複数の第１伝送トランジスタのそれぞれは、第１制御信号に応答して、複数のフォトゲート対のそれぞれの第１フォトゲート下に形成された複数の電荷を第１共有フローティングディフュージョン領域に伝送する。 - 特許庁

The image sensor includes a semiconductor substrate 1 having a first type impurity, photodiodes (8, 9) configured to react with incident light to generate photo-charges, and a plurality of transistors Tx, Rx, Dx, Sx for converting the photo-charges generated from the photodiodes into sensor output signals.例文帳に追加

第１型不純物を有する半導体基板１と、入射光に反応して光電荷を生じるように構成されたフォトダイオード（８，９）と、フォトダイオードが生じた光電荷をセンサ出力信号に変換する複数のトランジスタＴｘ，Ｒｘ，Ｄｘ，Ｓｘと、を備える。 - 特許庁

A capacitor and a photo-diode are initialized to a first initialization voltage close to a high voltage (VDD) of a power supply by conducting second and third transistors, the second transistor is brought into a non-conducted state, and a first long exposure term of the photo-diode is started.例文帳に追加

本発明の方法は、キャパシタとフォトダイオードを電源の高電圧（ＶＤＤ）に近い第１初期化電圧に、第２と第３のトランジスタの導通により初期化し、第２トランジスタを非導通状態にして、フォトダイオードの第１の長い露光期間を開始させる。 - 特許庁

The sensor system is formed on a semiconductor substrate and includes a plurality of pairs of photo gates each including a first photo gate and a second photo gate, a first shared floating diffusion region formed in the semiconductor substrate, and a plurality of first transmission transistors formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

本センサー系は、半導体基板上に形成され、それぞれが、第１フォトゲートと第２フォトゲートとを含む複数のフォトゲート対と、半導体基板内に形成された第１共有フローティングディフュージョン領域と、半導体基板上に形成された複数の第１伝送トランジスタと、を含む。 - 特許庁