piezo-semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for analyzing and evaluating a piezo electric field by performing nondestructing spectrometry of the piezo electric field of a semiconductor hetero-junction interface by a method different from PR spectrometry.例文帳に追加

ＰＲ分光法とは異なる手法により、半導体ヘテロ接合界面のピエゾ電場の非破壊分光測定を行い、ピエゾ電場を解析・評価する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a piezo-resonator circuit obtained by integrating a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric thin film resonator.例文帳に追加

半導体集積回路と圧電薄膜共振子を集積化した圧電共振子回路を提供する。 - 特許庁

The direction of piezo polarization generated in the second semiconductor region is adjusted to be a direction moving away from the heterojunction.例文帳に追加

第２半導体領域内に発生しているピエゾ分極の方向が、ヘテロ接合から離れる方向に調整されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting element capable of selecting the direction of a piezo-polarization in an active layer in a suitable orientation.例文帳に追加

活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 2000 comprises a semiconductor pressure sensor 200 that has gages 13a and 13c as a piezo resistance section and detects pressure using a piezo resistance effect, a sealing section 35 of a mesa shape, and a pressure transmission block 19 coming into contact with the upper surface of the gages and the upper surface of the sealing section.例文帳に追加

半導体装置２０００は、ピエゾ抵抗部であるゲージ１３ａ，１３ｃを有し、ピエゾ抵抗効果を利用して圧力を検出する半導体圧力センサ２００と、メサ形状のシール部３５と、ゲージの上面およびシール部の上面に接する圧力伝達ブロック１９と、を含む。 - 特許庁

To efficiently utilize a semiconductor integrated component constituting a piezo oscillator during a manufacturing process about a structure of the piezo oscillator corresponding to the miniaturization of an integrated circuit (IC) semiconductor component to be mounted on a temperature compensating oscillator and its adjusting method.例文帳に追加

温度補償型発振器に実装する集積回路（ＩＣ）半導体部品の小型化に対応した圧電発振器の構造と、その調整方法に関するもので、圧電発振器を構成する半導体集積部品を製造工程時に効率良く活用できることを実現する。 - 特許庁

The piezo-electric device comprises the piezo-electric element receiving package 201; the piezo-electric element 202 housed in a recess 109 and whose electrode is connected electrically to an electrode pad 102; and the semiconductor element 203 mounted on the upper surface of the insulating substrate 101 so as to cover the recess 109 and whose electrode 204 is connected electrically to a conductive pad 104.例文帳に追加

圧電素子収納用パッケージ２０１と、凹部１０９に収容され電極が電極パッド１０２に電気的に接続された圧電素子２０２と、絶縁基体１０１の上面に凹部１０９を覆うように搭載され電極２０４が導電パッド１０４に電気的に接続された半導体素子２０３とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device as an InGaN-based laser diode having a high In composition which has high light emitting efficiency by reducing an influence of a piezo field, and a method of manufacturing the semiconductor light emitting device.例文帳に追加

高In組成のInGaN系のレーザダイオードであって、ピエゾ電界による影響を低減して発光効率の高い半導体発光素子および半導体発光素子を製造する。 - 特許庁