radical formationとは 意味・読み方・使い方

The hydroxyl radical-containing water supply system includes a formation means for forming hydroxyl radical-containing water to supply the same and a quantification means for measuring the absorbance characteristics at one or more wavelengths within a range of 140-210 nm of the hydroxyl radical-containing water formed by the formation means to quantify the concentration of a hydroxyl radical.例文帳に追加

ヒドロキシルラジカル含有水を生成して供給する生成手段と、生成手段により生成されたヒドロキシルラジカル含有水の１４０〜２１０ｎｍの範囲内における１以上の波長での吸光特性を測定することにより、ヒドロキシルラジカル濃度を定量する定量手段とを備えたヒドロキシルラジカル含有水供給装置。 - 特許庁

The method includes (1) the formation of an aqueous phase and nitroxyl radical by reacting an oxidizing agent with a secondary amine having steric hindrance and (2) the removal of the aqueous phase and the addition of one or more vinyl monomers to the nitroxyl radical according to the method and system for the production of the radical.例文帳に追加

この方法は、（１）酸化剤を立体障害第二アミンと反応させて、水相およびニトロキシルラジカルを形成し、（２）水相を除去し、ニトロキシルラジカルに対し、ラジカルを生成する製法および系に従う一以上のビニルモノマーを添加する、ことを包含する。 - 特許庁

This method for forming a polymer pattern comprises selectively irradiating the pattern formation-predetermined regions 57 of a substrate 51 containing a radical-polymerizable monomer 53 and a free radical-generating agent 53 with light.例文帳に追加

ラジカル重合性モノマー５３およびラジカル発生剤５５を含む基材５１の、高分子パターン形成予定領域５７に光を選択的に照射することにより、この領域５７にラジカルを発生させる。 - 特許庁

A MOS interface at a low interface order density is formed by an oxygen radical processing, and further a formation of an insulation film by a SiO deposition with lower damages is continued during an oxygen radical ambience.例文帳に追加

酸素ラジカル処理により低界面順位密度のＭＯＳ界面を形成し、更に低ダメージなＳｉＯ蒸着による絶縁膜形成を酸素ラジカル雰囲気中で連続しておこなう。 - 特許庁

The flow 25 of this radical is introduced into a substrate 13 arranged in the vicinity, and the surface of the substrate 13 is stuck with the radical, by which film formation is executed.例文帳に追加

このラジカルの流２５れを近傍に配置された基板１３へ導いて、基板１３表面にラジカルを付着させすることにより、成膜を行う。 - 特許庁

High frequency power for use in surface wave excitation plasma treatment is set low by performing radical film formation using argon gas.例文帳に追加

また、アルゴンガスを用いたラジカル成膜を行うことで、表面波励起プラズマ処理に使用する高周波電力を低電力とする。 - 特許庁

The pressurizing pin 1 for die casting formation is provided with a radical nitriding treatment layer 3 having 50-100 μm thickness on the surface.例文帳に追加

表面に厚さ５０〜１００μｍのラジカル窒化処理層３を設けたことを特徴とするダイカスト成形用加圧ピン１。 - 特許庁

The free-radical initiator bonds to the seed polymer for the formation of ionic hydrophilic terminal groups on the seed polymer.例文帳に追加

遊離基開始剤は、種ポリマーに結合して種ポリマー上にイオン性、親水性末端基を形成するものである。 - 特許庁