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意味・対訳 共鳴トンネル効果
「resonance tunnel effect」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
RESONANCE TUNNEL EFFECT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
共鳴トンネル効果デバイス及びその製造方法 - 特許庁
A double tunnel insulating layer is formed in a tunnel region to flow tunnel current, and a resonance tunnel effect, instead of FN tunnel effect, is used when charging and discharging electricity.例文帳に追加
トンネル電流を流すトンネル領域に２重のトンネル絶縁膜層を形成し、フローティングゲートへの電荷の注入あるいは引き抜きにおいて、従来のＦＮトンネル効果のかわりに共鳴トンネル効果を用いることとした。 - 特許庁
RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
The barrier layer in the resonance tunnel magnetoresistance effect element includes at least two layers among layers 3021, 3022 and 3023.例文帳に追加
共鳴トンネル磁気抵抗効果素子における障壁層は少なくとも２層３０２１，３０２２，３０２３で構成される。 - 特許庁
To provide a high speed and low power consumption nonvolatile memory using a resonance tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加
共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を用いた高速・低消費電力不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
This reduces operation voltage, flows tunnel current directly, prolongs the lifetime of a memory cell, better the holding ability of a memory since current does not flow without the voltage of resonance tunnel effect.例文帳に追加
これにより、作動電圧を低下でき、直接トンネル電流が流れ、メモリセルの寿命を長くでき、しかも、共鳴トンネル効果の電圧以外では電流が流れないため、記憶保持能力を高くすることができる。 - 特許庁
A nonvolatile magnetic memory includes a resonance tunnel magnetoresistance effect element, and to which a writing system by spin transfer torque produced with a voltage corresponding to the resonance level is applied.例文帳に追加
不揮発性磁気メモリに、共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を装備し、共鳴準位に相当する電圧によりスピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁
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「resonance tunnel effect」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.例文帳に追加
窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁
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