rm -fとは 意味・読み方・使い方

Code Listing4.1: Default system crontab */15 * * * * test -x /usr/sbin/run-crons /usr/sbin/run-crons0 * * * * rm -f /var/spool/cron/lastrun/cron.hourly0 3 * * * rm -f /var/spool/cron/lastrun/cron.daily15 4 * * 6 rm -f /var/spool/cron/lastrun/cron.weekly30 5 1 * * rm -f /var/spool/cron/lastrun/cron.monthly発音を聞く 例文帳に追加

コード表示4.1:デフォルトのシステムcrontab - Gentoo Linux

Code Listing1.1: Changing your profile # rm -f /etc/make.profile# ln -snf /usr/portage/profiles/default-linux/x86/2005.1 /etc/make.profile発音を聞く 例文帳に追加

コード表示1.1:プロファイルの変更 - Gentoo Linux

# /etc/init.d/mysql stop# emerge -C mysql# tar cjpvf ~/mysql.$(date +%F"T"%H-%M).tar.bz2 /etc/mysql/my.cnf /var/lib/mysql/# ls -l ~/mysql.*# rm -rf /var/lib/mysql/ /var/log/mysql発音を聞く 例文帳に追加

注意:ここでは二つの異なるバックアップがなければなりません。 - Gentoo Linux

At this time, (f-A.Um-B(Um)) is given as a nonlinear residue rm for an approximate solution Um, where a repetition frequency is (m) and the approximate solution Um is corrected so that the nonlinear residue rm+1 becomes small.例文帳に追加

このとき、繰り返し回数ｍのときの近似解Ｕ^m に対する非線形残差ｒ^m として（ｆ−Ａ・Ｕ^m −Ｂ（Ｕ^m ））を与え、次のステップの非線形残差ｒ^m+1 が小さくなるように、近似解Ｕ^m を修正していく。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

Thus, the optical pickup 7 can generate a reaction caused by an excited state absorption by second and succeeding pulses P2 to P4 while keeping the excited state of a recording material M which is generated by two-photon absorption of a first pulse P1 in the neighborhood of a focus F of the light beam L, and therefore a recording mark RM can be formed on a recording layer 101 in an extremely short period of time.例文帳に追加

これにより光ピックアップ７は、光ビームＬの焦点Ｆの近傍で、最初のパルスＰ１の２光子吸収により生じた記録材料Ｍの励起状態を維持したまま２番目以降のパルスＰ２〜Ｐ４により励起状態吸収による反応を生じさせることができるので、極めて短い時間で記録層１０１に記録マークＲＭを形成することができる。 - 特許庁