selective MOVPEとは 意味・読み方・使い方

To reduce element resistance in a homo-embedding type optical semiconductor device for creating an active layer and an embedding structure by performing the MOVPE selective growth method for two times.例文帳に追加

2回のMOVPE選択成長法をによって活性層と埋め込み構造を作製するホモ埋め込み型光半導体素子において、素子抵抗の低減を図る。 - 特許庁

To realize a constant coupling coefficient without depending upon an oscillation wavelength in the batch formation method of a different- wavelength DFB laser or a different-wavelength EA modulator integrated DFB laser manufactured by using a selective MOVPE method.例文帳に追加

選択ＭＯＶＰＥ法を用いて作製する異波長ＤＦＢレーザあるいは、異波長ＥＡ変調器集積ＤＦＢレーザの一括形成方法において、発振波長によらず一定の結合係数（κ）を実現することを目的とする。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor surface light emitting device having a plurality of wavelengths on the same substrate using the MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) selective growth method.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＶＰＥ選択成長法を用いて、同一基板上に複数の波長を有する半導体面発光素子を製造することを目的とする。 - 特許庁

Selective MOVPE growth is conducted, by using a patterning substrate, and an active layer and an optical waveguide layer are formed directly.例文帳に追加

ＩｎＰ上に選択ＭＯＶＰＥ成長用の酸化膜によるマスクパターンを形成し、パターニング基板を用いて選択ＭＯＶＰＥ成長を行い、活性層と光導波路層を直接形成する。 - 特許庁

Inconstant κ, depending upon the oscillation wavelength or mask width used for selective MOVPE in a conventional manufacturing method is corrected by previously modulating a diffraction grating shape before crystal growth, and constant κ is realized without depending upon the oscillation wavelength and selective-growth mask width.例文帳に追加

従来の製造方法では、発振波長あるいは選択ＭＯＶＰＥに用いるマスク幅に依存して変化してしまうκを、結晶成長前の回折格子形状をあらかじめ変調しておくことにより補正し、発振波長や選択成長マスク幅に依存せず一定のκ実現する。 - 特許庁

An InGaAsP guide layer 104, an MQW active layer 105 and a p-InP clad layer 106 are selectively grown on an n-InP substrate 101 by a selective MOVPE method by using a pair of SiO2 stripe masks 103, in such a way that the width of the stripe masks 103 is made wide according to an oscillation wavelength.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１０１上に、一対のＳｉＯ_2ストライプマスク１０３を用いて、前記ストライプマスク１０３の幅を、発振波長に応じて広くし、選択ＭＯＶＰＥ法によって、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０４、ＭＱＷ活性層１０５、およびｐ−ＩｎＰクラッド層１０６を選択成長させる。 - 特許庁