self-aligned bipolar transistorとは 意味・読み方・使い方

MANUFACTURE OF SELF-ALIGNED BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

自己整合性バイポーラ・トランジスタの製造方法 - 特許庁

BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNED SILICIDE AND SELF-ALIGNED EMITTER CONTACT BORDER例文帳に追加

自己整合シリサイドおよび自己整合エミッタ・コンタクト境界を有するバイポーラ・トランジスタ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

セルフアラインされた縦型のバイポーラトランジスタを製造する方法 - 特許庁

BIPOLAR TRANSISTOR WITH RAISED EXTRINSIC SELF-ALIGNED BASE USING SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH FOR BICMOS INTEGRATION例文帳に追加

ＢＩＣＭＯＳ統合のために選択的エピタキシャル成長を用いる、隆起した外因性自己整合型ベースを有するバイポーラ・トランジスタ - 特許庁

A high-performance bipolar transistor with a raised extrinsic self-aligned base is integrated into a BiCMOS structure including CMOS devices.例文帳に追加

隆起した外因性自己整合型ベースを有する高性能バイポーラ・トランジスタが、ＣＭＯＳデバイスを含むＢｉＣＭＯＳ構造と統合される。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor with a protruberant extrinsic self-aligned base that uses a selective epitaxial growth for BICMOS integration, and to provide a high-performance BiCMOS structure with minimum process complexity, without having to sacrifice the performances of either the bipolar transistors or CMOS devices.例文帳に追加

ＢＩＣＭＯＳ統合のために選択的エピタキシャル成長を用いる、隆起した外因性自己整合型ベースを有するバイポーラ・トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor of a self-aligned structure which has an improved current gain cut-off frequency and maximum transmission frequency, and to provide a method of manufacturing the transistor.例文帳に追加

電流利得遮断周波数及び最大発信周波数を向上させたセルフアライン構造のバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁