semiconductor Siとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor element has the nitride semiconductor layer 8 on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上に窒化物半導体層８を備えた半導体素子である。 - 特許庁

SiC/Si HETORO STRUCTURE SEMICONDUCTOR SWITCH AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＳｉＣ／Ｓｉヘテロ構造半導体スイッチ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Si SUBSTRATE HAVING NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加

窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板の製造方法。 - 特許庁

In the photodetector 1, an Si semiconductor layer 11 having a polarity, an intrinsic Si semiconductor layer 12 and a Ge semiconductor layer 13 having a polarity reverse to that of the Si semiconductor layer 11 are laminated sequentially.例文帳に追加

具体的には、極性のあるＳｉ半導体層１１と、真性Ｓｉ半導体層１２と、前記Ｓｉ半導体層１１と逆極性のＧｅ半導体層１３と、が順に積層されている光検出器１である。 - 特許庁

The semiconductor chip 2 includes a semiconductor waveguide 4 and is mounted on a Si bench 5.例文帳に追加

半導体チップ２は、半導体導波路４を有し、Ｓｉベンチ５上に搭載されている。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SI-CONTAINING FILM, INSULATOR FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

Ｓｉ含有膜の成膜方法、絶縁膜、並びに半導体デバイス - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

The semiconductor device has an Si substrate 1, an Si layer 12 provided on its Si substrate 1, and insulating separative layers 5, 6 for covering respectively the side surface and the bottom surface of the Si layer 12 of its MOS region.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に設けられたＳｉ層１２と、ＭＯＳ領域のＳｉ層１２の底面および側面を覆う絶縁分離層５、６を備える。 - 特許庁