P型半導体の英語

A composite film consists of titanium oxide and a P-type semiconductor and has photocatalytic activity.例文帳に追加

酸化チタン及びp型半導体からなり、光触媒活性を有する複合膜。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

In the element 10, an electromotive force is generated by setting a temperature difference between the semiconductors 11 and 12 (e.g. temperature gradient such as high temperature (TH) in the N-type semiconductor side and low temperature (TL) in the P-type semiconductor side).例文帳に追加

この熱電素子10は、N型半導体11とP型半導体12との間に、温度差（例えば、N型半導体側を高温（T_H）、P型半導体側を低温（T_L）とした温度勾配）を設定すると電極間に起電力が生じる。 - 特許庁

An n-type semiconductor region 21 and a p-type semiconductor region 22 are provided for constituting a zener diode as a protective element in the semiconductor substrate 5.例文帳に追加

半導体基板５に保護素子としてのツェナーダイオードを構成するためのｎ型半導体領域２１とp型半導体領域２２とを設ける。 - 特許庁

Ohmic electrodes 51 are formed within ranges of the bottom surfaces 6c of the grooves 2 to form ohmic junctions J1 with the p-type semiconductor regions 40.例文帳に追加

オーミック電極５１は、溝２の底面６ｃの範囲内に形成されてp型半導体領域４０にオーミック接合Ｊ１している。 - 特許庁

On the inner wall of the holes 16 inside the p-type semiconductor clad layer 12 and the n-type semiconductor clad layer 13, an oxidized region 17 is formed.例文帳に追加

そして、p型半導体クラッド層１２及びn型半導体クラッド層１３内の空孔１６の内壁に酸化領域１７を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a p-type semiconductor crystal, which has high activation factor in a wide-gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体において高い活性化率を有するp型半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁