siウェハの英語

Si wafers 2 are carried in a reaction furnace 14 while the wafers 2 are loaded in a wafer boat 3.例文帳に追加

Siウェハ２をウェハボート３に搭載した状態で反応炉１４に搬送する。 - 特許庁

The wafers 2 are cooled in the load-lock chamber 1 filled up with the oxidizing gas atmosphere.例文帳に追加

酸化ガスの雰囲気で満たされたロードロック室１の中でSiウェハ２を冷却する。 - 特許庁

Then a gel film is obtained, by uniformly applying the hafnia sol solution to the surface of an Si wafer by the spinner method (500 rpm/5 seconds to 2,000 rpm/30 seconds).例文帳に追加

このゾル液をSiウェハにスピンナー法（500rpm/5秒→2000rpm/30秒）により均一に塗布してゲル膜を得る。 - 特許庁

After oxidization, the atmosphere in the furnace 14 is changed to an inert gas atmosphere and the wafers 2 are cooled to about 700°C.例文帳に追加

酸化処理の後に反応炉１４の雰囲気を不活性ガスに置換してSiウェハを７００℃程度まで冷却する。 - 特許庁

The gel film is used for setting the temperature of the electric furnace, and the Si wafer is put directly in the furnace and baked in the furnace for 30 minutes.例文帳に追加

電気炉はゲル膜を設定温度としておき、Siウェハを直接投入して30分間保持して焼成する。 - 特許庁

Then silicon oxide films are formed on the wafers 2 by introducing an oxidizing gas into the furnace 14 and raising the temperatures of the wafers 2 to the oxidizing temperature of Si.例文帳に追加

反応炉１４に酸化ガスを導入してSiウェハ２を酸化温度に昇温することでシリコン酸化膜を作成する。 - 特許庁

Then the atmospheres in the furnace 14 and a load-lock chamber 1 are changed to oxidizing gas atmospheres and the wafers 2 are carried out from the furnace 14 to the load-lock chamber 1.例文帳に追加

反応炉１４およびロードロック室１の雰囲気を酸化ガスとして反応炉１４からロードロック室１にSiウェハ２を搬出する。 - 特許庁