| 例文 (9件) |
siウェハを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
Si wafers 2 are carried in a reaction furnace 14 while the wafers 2 are loaded in a wafer boat 3.例文帳に追加
Siウェハ２をウェハボート３に搭載した状態で反応炉１４に搬送する。 - 特許庁
The wafers 2 are cooled in the load-lock chamber 1 filled up with the oxidizing gas atmosphere.例文帳に追加
酸化ガスの雰囲気で満たされたロードロック室１の中でSiウェハ２を冷却する。 - 特許庁
Then a gel film is obtained, by uniformly applying the hafnia sol solution to the surface of an Si wafer by the spinner method (500 rpm/5 seconds to 2,000 rpm/30 seconds).例文帳に追加
このゾル液をSiウェハにスピンナー法（500rpm/5秒→2000rpm/30秒）により均一に塗布してゲル膜を得る。 - 特許庁
After oxidization, the atmosphere in the furnace 14 is changed to an inert gas atmosphere and the wafers 2 are cooled to about 700°C.例文帳に追加
酸化処理の後に反応炉１４の雰囲気を不活性ガスに置換してSiウェハを７００℃程度まで冷却する。 - 特許庁
Then silicon oxide films are formed on the wafers 2 by introducing an oxidizing gas into the furnace 14 and raising the temperatures of the wafers 2 to the oxidizing temperature of Si.例文帳に追加
反応炉１４に酸化ガスを導入してSiウェハ２を酸化温度に昇温することでシリコン酸化膜を作成する。 - 特許庁
Then the atmospheres in the furnace 14 and a load-lock chamber 1 are changed to oxidizing gas atmospheres and the wafers 2 are carried out from the furnace 14 to the load-lock chamber 1.例文帳に追加
反応炉１４およびロードロック室１の雰囲気を酸化ガスとして反応炉１４からロードロック室１にSiウェハ２を搬出する。 - 特許庁
Then the Si wafer, having the formed gel film, is put in an electric furnace and baked within the temperature range of 550-1,300°C by a quick heating method (at a temperature increase rate of 10°C/minute).例文帳に追加
ゲル膜を形成したSiウェハを電気炉に投入し、急速加熱法（昇温速度10℃/1分で昇温）により550℃-1300℃の温度範囲で焼成する。 - 特許庁
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