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silicon sourceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 けい素源; シリコン源
「silicon source」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 935件
In the method for manufacturing silicon carbide, silicon carbide is deposited on the surface of a substrate from an atmosphere containing silicon-carbide source gas containing at least silicon source gas and carbon source gas.例文帳に追加
基板表面に少なくとも珪素源ガスと炭素源ガスとからなる炭化珪素原料ガスを含む雰囲気から炭化珪素を形成する、炭化珪素の製造方法。 - 特許庁
The metal-containing layer is reacted with the silicon-containing source, and a metal silicide layer is formed of silicon which originates primarily from the silicon- containing source.例文帳に追加
メタル含有層は、珪素含有ソースと反応し、珪素含有ソースを主な出所とするシリコンを有するメタルシリサイド層を形成する。 - 特許庁
The silicon nitride film containing carbon is deposited by the reaction of species nitride and a silicon source.例文帳に追加
炭素を含むシリコン窒化膜は、窒化種とシリコンソースの反応により成膜される。 - 特許庁
The method of manufacturing the silicon carbide heater comprises: a step for impregnating a carbon fiber with a carbon source; and a step for impregnating the carbon fiber impregnated with the carbon source with a molten silicon source to react the carbon source with the silicon source to obtain silicon carbide heater.例文帳に追加
炭素繊維に炭素源を含浸させる工程と、炭素源を含浸させた前記炭素繊維に溶融したケイ素源を含浸させ、炭素源と前記ケイ素源を反応させて炭化ケイ素ヒータを得る工程と、を含む炭化ケイ素ヒータの製造方法。 - 特許庁
DIETHYL SILANE AS SILICON SOURCE FOR METAL SILICATE FILM DEPOSITION例文帳に追加
金属ケイ酸塩膜堆積用のケイ素源としてのジエチルシラン - 特許庁
A silicon carbide crystal 3 is grown by forming a silicon melt layer 2 on a silicon carbide seed crystal 1, supplying a source gas containing carbon or a mixture gas of a source gas containing carbon and a source gas containing silicon, or a source gas containing carbon and silicon in the same molecule, onto the silicon melt layer 2.例文帳に追加
炭化珪素の種結晶1の上にシリコン融液層2を形成し、シリコン融液層2の上に炭素を含む原料気体、または炭素を含む原料気体とシリコンを含む原料気体の混合ガス、あるいは炭素とシリコンを同一分子中に含む原料気体を供給して、炭化珪素の結晶3を成長させる。 - 特許庁
A silicon source is added to the reaction mixture to produce a Zr or Hf silicon oxynitride films.例文帳に追加
酸窒化ケイ素Zr又はHf膜を作るには、上記の反応混合物にケイ素源を加える。 - 特許庁
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「silicon source」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 935件
An n-type silicon carbide source layer 5 is formed on the p-type silicon carbide channel layer 4.例文帳に追加
そして、n型炭化珪素ソース層5は、p型炭化珪素チャネル層4上に形成される。 - 特許庁
The starting material mixture preferably further contains silicon source powder.例文帳に追加
原料混合物は、ケイ素源粉末をさらに含んでいてもよい。 - 特許庁
The silicon carbide layer is formed by reacting a gas mixture comprising a silicon source, a carbon source, and a dopant in the presence of an electric field.例文帳に追加
炭化珪素層は、珪素源、炭素源及びドーパントを含む混合ガスを電界の存在下で反応させて形成する。 - 特許庁
A silicon surface insulating film 9 is formed on a source of the silicon wiring pattern 7 at a part crossing the silicon guard ring 11.例文帳に追加
シリコンガードリング11と交差している部分のシリコン配線パターン7表面にシリコン表面絶縁膜9が形成されている。 - 特許庁
To provide a method for producing a silicon wire with particulate silicon as a starting material without using a reactive gas as a source of silicon.例文帳に追加
シリコン源として反応ガスを用いずに、粒子状シリコンを原料としたシリコンワイヤの製造方法を提供すること。 - 特許庁
The raw material mixture may also contain a silicon source powder.例文帳に追加
原料混合物は、ケイ素源粉末をさらに含んでいてもよい。 - 特許庁
The silicon carbide layer is formed by reacting a mixture of gases including silicon source, carbon source, and inert gas under an electric field.例文帳に追加
ケイ素ソース、炭素ソース、不活性ガスを含むガス混合物を電界の存在下で反応させることにより炭化ケイ素層を形成する。 - 特許庁
Thereby, silicon of the vapor deposition source 3 vaporizes and deposits on the surface of a substrate 10 to form a silicon film.例文帳に追加
これにより蒸着源3であるシリコンが蒸発し、基板10表面にシリコン膜を蒸着する。 - 特許庁
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