「silicon source」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A silicon carbide crystal 3 is grown by forming a silicon melt layer 2 on a silicon carbide seed crystal 1, supplying a source gas containing carbon or a mixture gas of a source gas containing carbon and a source gas containing silicon, or a source gas containing carbon and silicon in the same molecule, onto the silicon melt layer 2.例文帳に追加

炭化珪素の種結晶１の上にシリコン融液層２を形成し、シリコン融液層２の上に炭素を含む原料気体、または炭素を含む原料気体とシリコンを含む原料気体の混合ガス、あるいは炭素とシリコンを同一分子中に含む原料気体を供給して、炭化珪素の結晶３を成長させる。 - 特許庁

A silicon source is added to the reaction mixture to produce a Zr or Hf silicon oxynitride films.例文帳に追加

酸窒化ケイ素Ｚｒ又はＨｆ膜を作るには、上記の反応混合物にケイ素源を加える。 - 特許庁

An n-type silicon carbide source layer 5 is formed on the p-type silicon carbide channel layer 4.例文帳に追加

そして、ｎ型炭化珪素ソース層５は、ｐ型炭化珪素チャネル層４上に形成される。 - 特許庁

The starting material mixture preferably further contains silicon source powder.例文帳に追加

原料混合物は、ケイ素源粉末をさらに含んでいてもよい。 - 特許庁

The silicon carbide layer is formed by reacting a gas mixture comprising a silicon source, a carbon source, and a dopant in the presence of an electric field.例文帳に追加

炭化珪素層は、珪素源、炭素源及びドーパントを含む混合ガスを電界の存在下で反応させて形成する。 - 特許庁

A silicon surface insulating film 9 is formed on a source of the silicon wiring pattern 7 at a part crossing the silicon guard ring 11.例文帳に追加

シリコンガードリング１１と交差している部分のシリコン配線パターン７表面にシリコン表面絶縁膜９が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon wire with particulate silicon as a starting material without using a reactive gas as a source of silicon.例文帳に追加

シリコン源として反応ガスを用いずに、粒子状シリコンを原料としたシリコンワイヤの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The raw material mixture may also contain a silicon source powder.例文帳に追加

原料混合物は、ケイ素源粉末をさらに含んでいてもよい。 - 特許庁

The silicon carbide layer is formed by reacting a mixture of gases including silicon source, carbon source, and inert gas under an electric field.例文帳に追加

ケイ素ソース、炭素ソース、不活性ガスを含むガス混合物を電界の存在下で反応させることにより炭化ケイ素層を形成する。 - 特許庁

Thereby, silicon of the vapor deposition source 3 vaporizes and deposits on the surface of a substrate 10 to form a silicon film.例文帳に追加

これにより蒸着源３であるシリコンが蒸発し、基板１０表面にシリコン膜を蒸着する。 - 特許庁

The method of manufacturing silicon carbide powder, the carbon source of which is xylene based resin, includes burning mixture containing at least silicon source and carbon source.例文帳に追加

ケイ素源と炭素源とを少なくとも含有する混合物を焼成することを含み、該炭素源がキシレン系樹脂である炭化ケイ素粉末の製造方法である。 - 特許庁

A green honeycomb molded body contains an aluminum source, a titanium source, a silicon source, a binder, a polar solvent and hydrophobic resin particles.例文帳に追加

アルミニウム源、チタニウム源、ケイ素源、バインダ、極性溶媒、及び、疎水性樹脂粒子を含むグリーンハニカム成形体を提供する。 - 特許庁

A process gas that includes a halogen source, a fluent gas, a silicon source, and an oxidizing gas reactant is flowed into the process chamber.例文帳に追加

ハロゲン源、フルーエントガス、シリコン源、酸化ガス反応種を含むプロセスガスがプロセスチャンバに流し込まれる。 - 特許庁

The silicon source is preferably a powdery silicon powder, particularly the one with a particle size of ≤1 μm.例文帳に追加

前記ケイ素源としては粉末状ケイ素粉体、特に粒径１μｍ以下の粉末状ケイ素粉体が望ましい。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SLURRY TO BE USED FOR SOURCE MATERIAL FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE, METHOD FOR MANUFACTURING SECONDARY PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE例文帳に追加

炭化珪素製造用原料に用いるスラリ、二次粒子及び単結晶炭化珪素の製造方法 - 特許庁

Silicon nitride belts are formed with intervals in the row direction, and source line plugs are formed between the adjacent silicon nitride belts.例文帳に追加

行方向に間隔を置いて窒化シリコン帯を形成し、隣接する窒化シリコン帯間にソースラインプラグを形成する。 - 特許庁

During growing a silicon single crystal by the Czochralski method, a sample 12 used for evaluation is used as a source material for growing a silicon single crystal or a source material for growing a purification source material.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成時に、評価使用済みサンプル１２を前記シリコン単結晶育成用の原料または精製原料育成用の原料として使用する。 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

ｎ^+型ソース（ドレイン）形成領域上には、シリコン酸化層２５が残っている。 - 特許庁

A P^- layer 80 is formed only on the source 60 side of a silicon substrate 1.例文帳に追加

また、シリコン基板１のソース６０側だけにＰ^-層８０を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 7 is formed on the source/drain region of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソースドレイン領域の上層にシリコン酸化膜７を形成する。 - 特許庁

A source electrode 9 is electrically connected to the n-type silicon carbide source layer 5 and to the p-type silicon carbide base layer 3, and the drain electrode 10 is provided on the rear surface of the n-type silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

ソース電極９は、ｎ型炭化珪素ソース層５、および、ｐ型炭化珪素ベース層３に電気的に接続して設けられ、ドレイン電極１０は、ｎ型炭化珪素基板１裏面に設けられる。 - 特許庁

Also, a polycrystalline silicon film pattern 109 as a gate electrode 109 may be used as the silicon seed supplying source.例文帳に追加

また、ゲート電極１０９としての多結晶シリコン膜パターン１０９をシリコン種供給源とすることもできる。 - 特許庁

A gaseous silicon or carbon source is passed through an etching gas containing fluorine.例文帳に追加

フッ素含有エッチングガスとこのガスにガス状のシリコンまた炭素源を通過させる。 - 特許庁

A phenol stabilizer is used when a layer of carbon-doped silicon oxide is formed on a substrate by using one or more cyclic alkenes as a carbon source, a silicon containing compound as a silicon source and a carrier gas while applying an energy source (radiation, heat or plasma).例文帳に追加

炭素源の１種以上の環状アルケンと、シリコン源のシリコン含有化合物と、キャリアガスを用い、エネルギー源（放射線、熱、又はプラズマ）を適用して炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成するに当たり、フェノール安定剤を用いる。 - 特許庁

This silicon carbide semiconductor device is formed into a structure provided with a p^+ type layer 6 under an n^+ type source region 4.例文帳に追加

ｎ^+型ソース領域４の下方にｐ^+型層６を備えた構成とする。 - 特許庁

A silicon/germanium region is formed by implanting germanium ions into the source and drain regions of a polycrystalline silicon transistor.例文帳に追加

多結晶シリコントランジスタのソースおよびドレイン領域にゲルマニウムイオンを注入することにより、シリコンゲルマニウム領域を形成する。 - 特許庁

The silicon ultrafine particles are produced from a substance containing silicon as the source material and by the electrode reduction method using reactive electrodes.例文帳に追加

シリコンを含む物質を原料とし、反応性電極を用いた電極還元法で作製されたシリコン超微粒子である。 - 特許庁

This module contains constants used by the Silicon GraphicsGraphics Library from the C header file gl/gl.h.Read the module source file for details. 例文帳に追加

このモジュールにはSilicon GraphicsのGraphics Libraryで使われるCのヘッダーファイルgl/gl.hの定数が定義されています。 詳しくはモジュールのソースファイルをご覧ください。 - Python

A silicon source 13 is heated with an electron beam EB and then silicon atoms are emitted into a heavy hydrogen atmosphere 11 to deposit a silicon film on a substrate W.例文帳に追加

電子ビームＥＢによりシリコンソース１３を加熱し、重水素ガス雰囲気中１１Ｃにシリコン原子を放出することにより、シリコン膜を基板Ｗ上に堆積する。 - 特許庁

The method for producing the catalyst for producing dimethyl ether comprises the steps of: mixing an aluminum source, a silicon source, and a magnesium source to obtain a powdery raw material; and firing the powdery raw material.例文帳に追加

アルミニウム源、ケイ素源およびマグネシウム源を混合して原料粉を得、原料粉を焼成するジメチルエーテル製造用触媒の製造方法である。 - 特許庁

The polycrystalline silicon film 4 is etched, and a low concentration source/drain region 9 is formed.例文帳に追加

次に多結晶シリコン膜４をエッチングし、低濃度ソース・ドレイン領域９を形成する。 - 特許庁

On the top surface of a p-type silicon substrate 1, an n-type source/drain region 4 is formed.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１の表面に、ｎ型ソース／ドレイン領域４が形成される。 - 特許庁

Next, a sidewall spacer 8 of a silicon nitride film and a source/drain region 9 are formed.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜からなるサイドウォールスペーサ８およびソース・ドレイン領域９を形成する。 - 特許庁

Source, channel, and drain regions are formed in each silicon nanowire 11.例文帳に追加

各シリコンナノワイヤー１１にはソース領域、チャネル領域およびドレイン領域を形成しておく。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device a silicon oxide film 7 is formed in an upper layer on the source and drain regions of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソースドレイン領域の上層にシリコン酸化膜７を形成する。 - 特許庁

In the gate insulating film, the drain side is composed of a silicon oxide film 9 of one layer, and the source side is composed of an insulating film of three layers in which a silicon oxide film 7, a silicon nitride film 8, and a silicon oxide film 9 are laminated.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、ドレイン側が１層の酸化シリコン膜９で構成され、ソース側が酸化シリコン膜７と窒化シリコン膜８と酸化シリコン膜９とを積層した３層の絶縁膜で構成される。 - 特許庁

In the formation of the silicon layer 4, when tetra ethyl silane as a silicon source material is supplied, ammonia is also supplied simultaneously with it.例文帳に追加

そのシリコン層４の形成時においてシリコン原料であるテトラエチルシランを供給する際に同時にアンモニアを供給するようにした。 - 特許庁

Before forming the oxynitride silicon film 3, pretreatment with plasma is done by using nitrous oxide (N2O) gas, which is a source gas of the oxynitride silicon film.例文帳に追加

酸化窒化珪素膜３を成膜する前に、酸化窒化珪素膜のソースガスである亜酸化窒素（N_2O）ガスを用いてプラズマ前処理した。 - 特許庁

By having an impurity matter introduced in the silicon layer 5, a source region 12 and a drain region 13 are formed on the silicon layer 5.例文帳に追加

そして、シリコン層５に不純物が導入されることにより、シリコン層５にソース領域１２およびドレイン領域１３が形成される。 - 特許庁

The flow rate of the halogen source to the process chamber with reference to the flow rate of the silicon source to the process chamber is substantially in the range between 0.5 and 3.0.例文帳に追加

プロセスチャンバへのシリコン源の流量に対するプロセスチャンバへのハロゲン源の流量は、実質的に０.５〜３.０である。 - 特許庁

A cyclic chemical vapor deposition process using a silicon source substance and a nitrogen source gas is performed to form a silicon nitride film 20 containing a silicon-rich nitride (Si_xN_y, a value of x/y is 0.7 to 1.5) on the first oxide film 15.例文帳に追加

シリコンソース物質と窒素ソースガスを用いたサイクリック化学気相蒸着工程を実施し、第１酸化膜１５上にシリコンリッチ窒化物（ＳｉｘＮｙ、ｘ／ｙの値が０．７〜１．５である）を含むシリコン窒化膜２０を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon nitride film includes a step of depositing the silicon nitride film at a film depositing temperature lower than 200°C by a plasma chemical vapor deposition method using a silicon source gas, a nitrogen source gas and a raw material gas containing a hydrogen on a substrate.例文帳に追加

基体上に、珪素源ガス、窒素源ガス及び水素を含む原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法により、２００℃未満の成膜温度で、窒化シリコン膜を成膜する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The insulating layer includes regions 8 containing fixed charge, which adjoin the silicon substrate 1 and the source region 10 and also adjoin the silicon substrate 1 and the drain region 11 in such a fashion as to straddle an interface between the silicon substrate 1 and the source region 10 and an interface between the silicon substrate 1 and the drain region 11.例文帳に追加

上記絶縁層は、シリコン基板１とソース領域１０との境界およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界を跨ぐように、シリコン基板１とソース領域１０に接すると共にシリコン基板１とドレイン領域１１に接する固定電荷を含む領域８を有する。 - 特許庁

By using non-selective epitaxial growth, a polycrystalline silicon layer is formed on a field oxide film simultaneously to formation of a single crystal silicon layer on an active region, a source/drain region is formed on a polycrystalline silicon layer is formed on the field oxide film 3, and a source/drain region is formed on the polycrystalline silicon layer formed on the field oxide film 3.例文帳に追加

非選択エピタキシャル成長を用いることで、アクティブ領域上に単結晶シリコン層を形成するのと同時に、フィールド酸化膜３上に多結晶シリコン層を形成し、フィールド酸化膜３上に形成された多結晶シリコン層にソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A method for making a doped silicon oxide thin film using a doped silicon oxide precursor solution includes a step 12 of mixing silicon source in an organic acid and a step 14 of adding 2-methoxyethyl ether to the silicon source and organic acid to form a preliminary precursor solution.例文帳に追加

不純物が添加されたシリコン酸化物前駆体溶液を用いて、不純物が添加されたシリコン酸化薄膜を製造する方法は、有機酸にシリコン原料を混合する工程１２と２−メトキシエチルエーテルを加えて、準備的な前駆溶液を調製する工程１４とを含む。 - 特許庁