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silicon-on-sapphireとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 SOS; シリコンオンサファイヤ; シリコンオンサファイア
「silicon-on-sapphire」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 38件
METHOD FOR FABRICATING SILICON DEVICE ON SAPPHIRE BY WAFER BONDING例文帳に追加
ウエハ接合によるサファイア上シリコンデバイスの製造方法 - 特許庁
A mask 11 of silicon dioxide (SiO_2) having an aperture 112 is formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加
サファイア基板10上に、開口部112を有する二酸化珪素(SiO_2)のマスク11を形成する。 - 特許庁
A thin silicon substrate grows on a main surface of a sapphire substrate, for the nitride semiconductor layer to grow thick.例文帳に追加
サファイア基板の主面に薄いシリコンを成長し、窒化物半導体層を厚く成長する。 - 特許庁
To provide an SOS (silicon on sapphire) substrate low in the defect density of a surface even in an extremely thin silicon film by solving a problem that defective density increases due to incompatibility in a lattice constant between silicon and sapphire.例文帳に追加
シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し、極めて薄いシリコン膜においても表面の欠陥密度が低いSOS基板を提供する。 - 特許庁
A manufacturing method of the semiconductor device using an SOS (silicon on sapphire) wafer has a process for preparing a sapphire substrate, a process for forming a silicon (Si) layer on the sapphire substrate, a process for injecting silicon ions into the silicon layer, and a process for subjecting the silicon layer to an epitaxial regrowth after injection of the silicon ions.例文帳に追加
本発明は、SOS(シリコン・オン・サファイア)ウエハを用いた半導体デバイスの製造方法において、サファイア基板を準備する工程と;前記サファイア基板上にシリコン(Si)層を形成する工程と;前記シリコン層にシリコンイオンを注入する工程と;前記シリコンイオン注入の後に、前記シリコン層をエピタキシャル再成長させる工程とを含む。 - 特許庁
A silicon oxide film 3 is formed between a sapphire substrate 1 on a PMOS 5 side and an impurity diffused layer (mono-crystal silicon film) 41.例文帳に追加
PMOS5側のサファイア基板1と不純物拡散層(単結晶シリコン膜)41との間に、シリコン酸化膜3を設ける。 - 特許庁
To provide an SOS (silicon on sapphire) substrate reduced in surface defect density by solving a problem that defective density increases due to incompatibility in a lattice constant between silicon and sapphire.例文帳に追加
シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し欠陥密度が小さいSOS基板を提供する。 - 特許庁
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「silicon-on-sapphire」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 38件
In the Silicon On Sapphire (SOS) substrate where a single-crystal silicon thin film is stacked on a sapphire substrate, a stress of a silicon film on the SOS substrate measured by a Raman shift method is ≤2.5×10^8 Pa in an entire area of a plane.例文帳に追加
サファイア基板上に単結晶シリコン薄膜が積層されたSilicon On Sapphire(SOS)基板であって、ラマンシフト法により測定した、前記SOS基板のシリコン膜の応力が面内全域で2.5x10^8Pa以下であるSOS基板である。 - 特許庁
GAN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF USING GAN ON SAPPHIRE THIN LAYER ON POLYCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加
GaN半導体装置および多結晶炭化ケイ素基板上のサファイア薄層上のGaNを用いる方法 - 特許庁
An HEMT 100 is made by epitaxially growing it on a sapphire substrate, adhering it to a silicon substrate and removing the sapphire substrate by the laser lift-off method.例文帳に追加
HEMT100は、サファイア基板にエピタキシャル成長させた後、シリコン基板を貼り付けてレーザーリフトオフ法でサファイア基板を除去すると得られる。 - 特許庁
The buffer layer contains Ga_x1Al_1-x1 N (0.1≤x1<0.5) formed on a sapphire or silicon substrate.例文帳に追加
バッファ層は、サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ga_x1Al_1−x1N(0.1≦x1<0.5)を含む。 - 特許庁
A multilayer resist consisting of a lower photoresist layer, a nitride silicon layer and an upper photoresist layer, is formed on the surface of a sapphire substrate in a first step.例文帳に追加
第1ステップにて、下フォトレジスト層、窒化シリコン層、上フォトレジスト層からなる多層レジストをサファイア基板表面に形成する。 - 特許庁
More specifically, a nitride semiconductor is grown on one major surface of a composite substrate, where silicon is stuck to the opposite major surfaces of a sapphire substrate.例文帳に追加
具体的には、サファイア基板の両主面にシリコンを貼り合わせた複合基板の1主面上に窒化物半導体を成長する。 - 特許庁
First, a supporting substrate 12 formed of sapphire or silicon carbide is prepared and a buffer layer 14 is deposited on the supporting substrate.例文帳に追加
先ず、サファイア又は炭化珪素で形成される支持基板12を用意して、支持基板上にバッファ層14を堆積させる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a sapphire junction structure for preventing contamination on silicon wafers in a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加
半導体製造装置におけるシリコン・ウエハの汚染防止のためのサファイア結合構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁
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