strained layerとは 意味・読み方・使い方

SILICON WAFER WITH STRAINED SILICON LAYER FORMED, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

歪みシリコン層が形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

A strained silicon layer is formed by depositing silicon onto the pores sealing layer 13.例文帳に追加

孔封止層１３にシリコンを堆積されることで歪みシリコン層１４を形成する。 - 特許庁

For example, a strained silicon layer is grown on a strain-relaxed silicon germanium layer, and then the silicon germanium layer is partially removed to compose a channel layer out of the strained silicon layer.例文帳に追加

本願発明は、例えば、歪み緩和シリコンゲルマニウム層上に歪みシリコン層を成長させ、しかるのちに部分的にシリコンゲルマニウム層を除去することによって、歪みシリコン層によってチャネル層を構成する。 - 特許庁

To provide a process for adjusting the strain of a strained layer on a substrate.例文帳に追加

基板上の歪み層の歪みを調節するプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a strained silicon wafer capable of further reducing feed through dislocation density in a strained Si layer formed on an SiGe layer in the strained silicon wafer including the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する歪みシリコンウェーハにおいて、ＳｉＧｅ層上に形成される歪みＳｉ層における貫通転位密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING STRAIN QUANTITY OF STRAINED SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

歪み半導体層の歪み量測定方法及び歪み量測定装置 - 特許庁

To provide a manufacturing method for making a metastable strained SiGe layer.例文帳に追加

準安定な歪みＳｉＧｅ層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer includes at least a strained SiGe layer on a silicon substrate, a Si-protecting layer on the strained SiGe layer, and an epitaxial Si layer on the Si-protecting layer, wherein a heavily-doped Si layer is provided, at least in between the silicon substrate and the strained SiGe layer, or in between the Si protection layer and the epitaxial Si layer.例文帳に追加

少なくとも、シリコン基板上に、歪みＳｉＧｅ層と、該歪みＳｉＧｅ上にＳｉ保護層と、該Ｓｉ保護層上にエピタキシャルＳｉ層とを具備するシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、前記シリコン基板と前記歪みＳｉＧｅ層との間、及び前記Ｓｉ保護層と前記エピタキシャルＳｉ層との間の少なくとも一方の間に高濃度Ｓｉ層を具備することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 - 特許庁