strained layerとは 意味・読み方・使い方

To provide a process for adjusting the strain of a strained layer on a substrate.例文帳に追加

基板上の歪み層の歪みを調節するプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a strained silicon wafer capable of further reducing feed through dislocation density in a strained Si layer formed on an SiGe layer in the strained silicon wafer including the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する歪みシリコンウェーハにおいて、ＳｉＧｅ層上に形成される歪みＳｉ層における貫通転位密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

A GaAs layer 4 is grown on an InGaAs layer 3 for forming a strained semiconductor layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ層３上にＧａＡｓ層４を成長させて歪系半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a strained silicon wafer for further reducing through dislocation density in a strained silicon layer.例文帳に追加

歪みシリコン層における貫通転位密度の一層の低減化を図る歪みシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

A strained silicon layer is formed by depositing silicon onto the pores sealing layer 13.例文帳に追加

孔封止層１３にシリコンを堆積されることで歪みシリコン層１４を形成する。 - 特許庁

For example, a strained silicon layer is grown on a strain-relaxed silicon germanium layer, and then the silicon germanium layer is partially removed to compose a channel layer out of the strained silicon layer.例文帳に追加

本願発明は、例えば、歪み緩和シリコンゲルマニウム層上に歪みシリコン層を成長させ、しかるのちに部分的にシリコンゲルマニウム層を除去することによって、歪みシリコン層によってチャネル層を構成する。 - 特許庁

In this method of manufacturing semiconductor substrate, the strained Si layer 14 is formed on a silicon/germanium substrate 11.例文帳に追加

シリコン・ゲルマニウム基板１１に、歪みＳｉ層１４が形成することを特徴としている。 - 特許庁

To form a semiconductor device having a strained silicon layer in a further simple process.例文帳に追加

より簡易な工程により歪みシリコン層を有する半導体装置を形成する。 - 特許庁