「strained layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By relaxing the compression strain of the compression-strained semiconductor layer 12, tensile strain is applied to the non-strained semiconductor layer 13.例文帳に追加

圧縮歪半導体層１２の圧縮歪を緩和させることにより、無歪半導体層１３に伸張歪を印加する。 - 特許庁

The silicon layer 42 becomes a strained silicon layer because its lattice constant is different from that of the second SiGe layer 41 as a base layer.例文帳に追加

シリコン層４２は、下地の第２のＳｉＧｅ層４１との格子定数の違いにより歪みシリコン層となる。 - 特許庁

SILICON WAFER WITH STRAINED SILICON LAYER FORMED, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

歪みシリコン層が形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

A strained silicon layer is formed by depositing silicon onto the pores sealing layer 13.例文帳に追加

孔封止層１３にシリコンを堆積されることで歪みシリコン層１４を形成する。 - 特許庁

For example, a strained silicon layer is grown on a strain-relaxed silicon germanium layer, and then the silicon germanium layer is partially removed to compose a channel layer out of the strained silicon layer.例文帳に追加

本願発明は、例えば、歪み緩和シリコンゲルマニウム層上に歪みシリコン層を成長させ、しかるのちに部分的にシリコンゲルマニウム層を除去することによって、歪みシリコン層によってチャネル層を構成する。 - 特許庁

To provide a process for adjusting the strain of a strained layer on a substrate.例文帳に追加

基板上の歪み層の歪みを調節するプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a strained silicon wafer capable of further reducing feed through dislocation density in a strained Si layer formed on an SiGe layer in the strained silicon wafer including the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する歪みシリコンウェーハにおいて、ＳｉＧｅ層上に形成される歪みＳｉ層における貫通転位密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING STRAIN QUANTITY OF STRAINED SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

歪み半導体層の歪み量測定方法及び歪み量測定装置 - 特許庁

To provide a manufacturing method for making a metastable strained SiGe layer.例文帳に追加

準安定な歪みＳｉＧｅ層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer includes at least a strained SiGe layer on a silicon substrate, a Si-protecting layer on the strained SiGe layer, and an epitaxial Si layer on the Si-protecting layer, wherein a heavily-doped Si layer is provided, at least in between the silicon substrate and the strained SiGe layer, or in between the Si protection layer and the epitaxial Si layer.例文帳に追加

少なくとも、シリコン基板上に、歪みＳｉＧｅ層と、該歪みＳｉＧｅ上にＳｉ保護層と、該Ｓｉ保護層上にエピタキシャルＳｉ層とを具備するシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、前記シリコン基板と前記歪みＳｉＧｅ層との間、及び前記Ｓｉ保護層と前記エピタキシャルＳｉ層との間の少なくとも一方の間に高濃度Ｓｉ層を具備することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 - 特許庁

To form a semiconductor device having a strained silicon layer in a further simple process.例文帳に追加

より簡易な工程により歪みシリコン層を有する半導体装置を形成する。 - 特許庁

The enhancement mode FET device (10) is provided which uses a strained N-doped InAlAs charge shield layer (22) deposited on an intrinsic InAlAs barrier layer (20).例文帳に追加

真性のＩｎＡｌＡｓバリヤー層（２０）上に堆積されたひずみ（strained）N−ドープＩｎＡｌＡｓ電荷シールド層（２２）を用いるエンハンスメントモードＦＥＴデバイス（１０）が開示される。 - 特許庁

Thus, great tensile strain is applied to the non-strained semiconductor layer 13.例文帳に追加

それにより、大きな伸張歪を無歪半導体層１３に印加することができる。 - 特許庁

At this time, the heat-resistant elastic body layer is strained by 1 to 4%.例文帳に追加

このとき、上記耐熱性弾性体層には１％〜４％の歪みが付与されている。 - 特許庁

A strained silicon layer 35 is formed only on the drain region of a distorted silicon layer 23 by epitaxial growth method.例文帳に追加

歪シリコン層２３のドレイン領域上だけにエピタキシャル成長法を使用して歪シリコン層３５を形成する。 - 特許庁

According to the present invention, the strained Si layer has the same crystal orientation as either of a regrown semiconductor layer or the second semiconductor layer.例文帳に追加

本発明によれば、歪みＳｉ層は、再成長半導体層または第２の半導体層のいずれかと同じ結晶方位を有する。 - 特許庁

A strained silicon layer forming the first channel region has a grating constant different from that of its background layer.例文帳に追加

第１チャネル領域を形成する歪みシリコン層は、その下地層の格子定数とは異なる格子定数を有する。 - 特許庁

In the present invention, a strained Si layer is formed on a semiconductor material, a second semiconductor layer, or both of them.例文帳に追加

本発明の方法では、半導体材料、第２の半導体層、またはその双方の上に、歪みＳｉ層を形成する。 - 特許庁

An asymmetric strain is produced in the surface of the strained quantum well of the semiconductor quantum well layer 13.例文帳に追加

半導体量子井戸層１３の歪量子井戸の面内には非対称な歪が発生する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF WAFER STRUCTURE HAVING STRAINED SILICON LAYER, AND INTERMEDIATE PRODUCT OF THE METHOD例文帳に追加

歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法及びこの方法の中間生成物 - 特許庁

In this method of manufacturing semiconductor substrate, the strained Si layer 14 is formed on a silicon/germanium substrate 11.例文帳に追加

シリコン・ゲルマニウム基板１１に、歪みＳｉ層１４が形成することを特徴としている。 - 特許庁

To prevent deterioration in a driving power accompanying a wave function seeping in an SiGe layer, by increasing a carrier mobility of the SiGe layer as an under layer of a strained Si layer.例文帳に追加

歪みＳｉ層の下層のＳｉＧｅ層のキャリア移動度を高めることができ、波動関数のＳｉＧｅ層中へのしみ出しに伴う駆動力低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for forming a strained Si layer, a method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor in which a strained Si layer of good quality can be formed thicker than a conventional one.例文帳に追加

歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタにおいて、良質な歪みＳｉ層を従来より厚く成膜すること。 - 特許庁

To suppress relaxation of strain of an active layer even when a strained semiconductor element is formed on a fine active layer.例文帳に追加

微細な活性層上にひずみ半導体素子を形成しても、活性層のひずみの緩和を抑制することを可能にする。 - 特許庁

On a p-type InP substrate, a p-type InP clad layer, an InGaAsP strained quantum well active layer, and an n-type InP clad layer are laminated in order.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層が順次積層されている。 - 特許庁

A first multilayered structure 10 of a strained Si layer 14 and tensile strain SiGe alloy layer 16 constitute on a relaxation SiGe alloy layer 12.例文帳に追加

緩和ＳｉＧｅ合金層１２上に歪みＳｉ層１４及び引っ張り歪みＳｉＧｅ合金層１６の第一多層化構造１０を構成する。 - 特許庁

To measure the strain quantity of a strained semiconductor layer at a high accuracy and also its film thickness and composition of a base layer at the same time in a method and apparatus for measuring the strain quantity of the strained semiconductor layer.例文帳に追加

歪み半導体層の歪み量測定方法及び歪み量測定装置において、歪み半導体層の歪み量を高精度に測定可能であり、さらにその膜厚や下地層の組成も同時に測定可能にすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate having a high quality strained Si (silicon) layer by reducing the density of threading dislocation on the surface of an SiGe layer for forming the strained Si layer as much as possible.例文帳に追加

歪みＳｉ層が形成されるＳｉＧｅ層表面の貫通転位の密度を極力少なくすることにより、高品質の歪みＳｉ（シリコン）層を有する半導体基板およびその半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A separation layer 14 is formed on a silicon substrate 11, on which an SiGe layer 12 as a strain-induced layer and a silicon layer 13 as a strained semiconductor layer are formed, in sequence to building a first base substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１１上に分離層１４を形成し、その上に順に歪み誘起層としてＳｉＧｅ層１２、歪み半導体層としてシリコン層１３を形成して第１の基体１０を作成する。 - 特許庁

To provide strain measuring device for measuring strain of a thin-film crystal layer in sample which contains the above strained thin-film crystal layer and supporting layer supporting the above thin-film crystal layer.例文帳に追加

歪みを有する薄膜結晶層と前記薄膜結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜結晶層の歪みを測定する歪み測定装置を提供する。 - 特許庁

To enhance the carrier mobility of an SiGe layer underlying a strained Si layer and to suppress the lowering of a driving force incident to the exudation of a wave function into the SiGe layer.例文帳に追加

歪みＳｉ層の下層のＳｉＧｅ層のキャリア移動度を高めることができ、波動関数のＳｉＧｅ層中へのしみ出しに伴う駆動力低下を抑制する。 - 特許庁

If the remainder of the separation layer 14 and the SiGe layer 12 are removed, and then, planarization is carried out by using hydrogen annealing, an Si substrate having a strained silicon layer can be obtained on its top most surface.例文帳に追加

分離層１４の残りおよびＳｉＧｅ層１２を除去して後、水素アニールにより平坦化すると、最表面に歪みシリコン層を有するＳｉ基板が得られる。 - 特許庁

A compressive strained layer having a residual compressive stress is provided at the outermost circumference of the jacket area 13.例文帳に追加

ジャケット領域１３の最外周部に圧縮応力が残留した圧縮歪層が形成されている。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer which is used for formation of a strained layer and has a high resistance against dislocation.例文帳に追加

歪み層形成に供されるウェーハで転位発生に対して耐性が高いエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

For strained silicon MOSFETS, a graded layer of silicon germanium is grown on top of a bulk silicon wafer. 例文帳に追加

ストレインド・シリコンMOSFETのために、組成が次第に変化するシリコン・ゲルマニウムの層をバルクのシリコンウエハ上に成長させる。 - コンピューター用語辞典

To provide a strain semiconductor wafer that has solved conflicting propositions such that the defect density of a strained-Si layer is very low and the strained-Si layer is left before a gate oxide film is formed and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ひずみＳｉ層の欠陥密度が十分に低く、しかもゲート酸化膜形成前にひずみＳｉ層が残っているような、相反する命題を解決したひずみ半導体ウェーハおよび半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The strained SOI structure comprises an insulating substrate 10, a protective layer 12 formed on all surfaces of the insulating substrate and composed of AlN, a bonding layer 14 formed on the protective layer 12 and composed of SiO_2 or polycrystalline silicon, an SiO_2 layer 28 formed on the bonding layer 14, and a strained silicon layer formed on the SiO_2 layer 28.例文帳に追加

絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の表面全体に形成されたＡＩＮからなる保護層１２と、保護層１２上に形成されたＳｉＯ_２又は多結晶シリコンからなるボンディング層１４と、ボンディング層１４上に形成されたＳｉＯ_２層２８と、ＳｉＯ_２層２８上に形成されたストレインシリコン層と、を備えるストレインＳＯＩ構造体である。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring a strain of a thin film crystal layer in a sample having the strained thin film crystal layer and a support layer for supporting the thin film crystal layer.例文帳に追加

歪みを有する薄膜結晶層と前記薄膜結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜結晶層の歪みを測定する方法および装置を提供する。 - 特許庁

Next, the vibration portion formation layer 104 and the strained layer 103 are removed selectively, and a thin line structure 105 is formed on the substrate 101.例文帳に追加

次に、振動部形成層１０４および歪み印加層１０３を選択的に除去し、基板１０１の上に細線構造１０５が形成された状態とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a defect-free, strained SOI layer having an even strain.例文帳に追加

無欠陥で歪みが均一な歪ＳＯＩ層を形成できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A strained silicon layer may be epitaxially deposited on the relaxed SiGe structure which has been finally produced on the insulator.例文帳に追加

歪みシリコン層は、絶縁体上に結果として生じる緩和したＳｉＧｅの構造上に、エピタキシャルに堆積され得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having a strained Si layer in which the occurrence of penetration dislocations is suppressed to the utmost.例文帳に追加

貫通転位を極力抑制した歪みＳｉ層を有する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING STRAINED Si LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタ - 特許庁

When impurities are exist in the certain region 108 of the strained material layer 104, there is degradation in the device performance.例文帳に追加

不純物がひずみ材料層１０４の特定の領域１０８に存在する場合、デバイス性能の低下となる。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness.例文帳に追加

半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁