「strained layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method capable of efficiently manufacturing a wafer structure, having a strained silicon layer and capable of recycling a donor or a support substrate for use, with high reproducibility and intermediate products.例文帳に追加

歪シリコン層を有するウェーハ構造体の効率的製造を可能とし、使用されるドナーまたは支持基板は高い再現性で再利用することが可能な方法と中間生成物を提供する。 - 特許庁

Subsequently, H^+ ions are implanted down to a depth below the interface of the strained SiGe layer 16 and the silicon substrate 10 and a trench 26 reaching the inside of the silicon substrate 10 is made by STI.例文帳に追加

その後、歪ＳｉＧｅ層１６とシリコン基板１０との界面よりも下の深さにまでＨ^＋イオンを注入して、ＳＴＩによって、シリコン基板１０内に達するトレンチ２６を形成する。 - 特許庁

To provide new constitution which does not use a method of introducing a conventional relaxation SiGe layer, for a transistor forming technology in which carrier mobility is increased by forming strained Si in a channel region.例文帳に追加

チャネル領域に歪みＳｉを形成してキャリア移動度を増大するトランジスタ形成技術に関し、従来の緩和ＳｉＧｅ層を導入する方法ではない新たな構成を提案する。 - 特許庁

In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, an InGaAsP strained multiple quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、ＩｎＧａＡｓＰ多重歪量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

Thereafter, the strained layer 103 is removed at part under the thin line structure 105 to form a beam structure 107 supported by two supports 106 being spaced from and formed above the substrate 101 in a vibration enabled fashion.例文帳に追加

この後、細線構造１０５の下部の歪み印加層１０３を除去し、２箇所の支持部１０６により支持された梁構造１０７が、基板１０１の上に離間して振動可能に形成された状態とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, capable of reducing the surface roughness of the principal surface of a strained Si layer provided on the principal surface of a strain-relaxing SiGe layer while suppressing differences due to positions in the rate of oxidation from surfaces of a Si-SiGe stack caused by heat treatment in an oxidation atmosphere.例文帳に追加

酸化雰囲気での熱処理によるＳｉ−ＳｉＧｅ積層体の表面からの酸化速度の位置による差異を抑えつつ、歪緩和ＳｉＧｅ層の主表面に設けられた歪みＳｉ層の主表面の表面粗さを小さくできる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and a field effect transistor, a method for forming an SiGe layer, a method for forming a strained Si layer and a method for manufacturing a field effect transistor in which dislocation density of the SiGe layer is reduced by a method by which restriction on the process and on the degree of freedom in the placement of device design is suppressed.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、プロセスの制約が少なく、またデバイス設計の配置自由度における制限が少ない方法で、ＳｉＧｅ層の貫通転位密度を低減すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and a field effect transistor, a method for forming an SiGe layer, a method for forming a strained Si layer and a method for manufacturing a field effect transistor in which dislocation density of the SiGe layer is reduced by a method by which restriction on the process and on the degree of freedom in the placement of device design is suppressed.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、プロセスの制約が少なく、またデバイス設計の配置自由度における制限が少ない方法で、ＳｉＧｅ層の転位密度を低減すること。 - 特許庁

To provide a substrate for the production of an SOI structure which allows a high flexibility to adjust the lattice dimensions of an insulator layer for the lamination of either fully relaxed or strained semiconductor layers including a variety of materials with high crystalline quality.例文帳に追加

高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for the production of a SOI (Semiconductor On Insulator) structure which allows a high flexibility to adjust the lattice dimensions of an insulator layer for the integration of either fully relaxed or strained semiconductor layers consisting of a variety of materials with high crystalline quality.例文帳に追加

高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。 - 特許庁

A trench capacitor vertical-transistor DRAM cell in an SiGe wafer compensates for overhang of a pad nitride, by forming an epitaxial strained silicon layer on trench walls that improves transistor mobility, removes voids from the polysilicon filling, and reduces resistance on the bit line contact.例文帳に追加

ＳｉＧｅウェハ中のトレンチ・コンデンサ型縦形トランジスタＤＲＡＭセルにおいて、トレンチ壁上にトランジスタの移動度を向上させるエピタキシャル歪シリコン層を形成することによってパッド窒化物のオーバハングを補償し、トレンチのポリ充填物から空洞を除去し、ビット線接点の抵抗値を小さくする。 - 特許庁

An InGaAs strained quantum-well active layer 16 of a semiconductor optical amplifier 30 includes: two optical waveguides 16A and 16B; a demultiplexing part 16C for demultiplexing incident light into the optical waveguides 16A and 16B; and a multiplexing part 16D for multiplexing light from the optical waveguides 16A and 16B.例文帳に追加

半導体光増幅器３０のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層１６は、２つの光導波路１６Ａ、１６Ｂ、入力された光を光導波路１６Ａ、１６Ｂに分波する分波部１６Ｃ、光導波路１６Ａ、１６Ｂからの光を合波する合波部１６Ｄを含む。 - 特許庁

A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁