hole mobilityとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for computing hole or electron mobility in an organic film.例文帳に追加

有機膜の正孔移動度又は電子移動度を計算により求める方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high luminance, high definition, and high performance ultra-thin electrooptical display device having high electron-mobility and hole-mobility, and having low leak current characteristics.例文帳に追加

高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is improved in electron mobility of an n-type MOS device (NMOS) and improved in hole mobility of a p-type MOS device (PMOS).例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳデバイス（ＮＭＯＳ）の電子の移動度の向上、およびｐ型ＭＯＳデバイス（ＰＭＯＳ）のホールの移動度の向上した半導体装置および製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an organic EL display device in which positive hole excess or electron excess is suppressed by reducing a difference between the positive hole mobility of a positive hole transportation layer and the electron mobility of an electron transportation layer, and in which light emitting efficiency can be improved by nearly equalizing injection balance between a positive hole and an electron.例文帳に追加

正孔輸送層の正孔移動度と電子輸送層の電子移動度との差を縮めることにより、正孔過剰または電子過剰を抑制し、正孔と電子との注入バランスを略等しくすることにより、発光効率を向上させることを可能とした有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

The foregoing structure increases hole mobility in a compressively strained SiGe channel, and therefore it is advantageous to PMOS.例文帳に追加

これらの構造は、圧縮歪みＳｉＧｅチャネル内の正孔移動度が増大する故に特にＰＭＯＳに有利である。 - 特許庁

Compressive stress is generated in the movement direction of a hole in a channel region of the pMISFET by a second class inner stress film 8b and the mobility of the hole is improved.例文帳に追加

第２種内部応力膜８ｂにより、ｐＭＩＳＦＥＴのチャネル領域において正孔の移動方向に圧縮応力が生じ、正孔の移動度が高められる。 - 特許庁

The mobility of the positive hole is high in the SiGe layer compared to the Si layer as well, and the operation speed of the PMOS transistor is also accelerated.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層もＳｉ層に比べて正孔の移動度が大きく、このＰＭＯＳトランジスタの動作速度も大きくなる。 - 特許庁

The method to increase electronic charge carrier mobility in a bipolar device includes the steps of generating compression strain in the device to increase hole mobility on the device's internal base, and causing tensile strain in the device to increase electron mobility on the internal base of the device.例文帳に追加

バイポーラ・デバイスにおいて電荷キャリアの移動度を増加させる方法は、該デバイス内に圧縮歪みを生じさせて、該デバイスの内部ベースにおける正孔移動度を増加させるステップと、該デバイス内に引っ張り歪みを生じさせて、該デバイスの該内部ベースにおける電子移動度を増加させるステップと、を含む。 - 特許庁