subcollectorとは 意味・読み方・使い方

The subcollector layer 3 has a main surface 3a having a first region 3b and a second region 3c.例文帳に追加

サブコレクタ層３は、第１の領域３ｂ及び第２の領域３ｃを有する主面３ａを有する。 - 特許庁

A transistor 1a is provided with a subcollector layer 3, a collector region 5, a base layer 7, and an emitter layer 9.例文帳に追加

トランジスタ１ａは、サブコレクタ層３と、コレクタ領域５と、ベース層７と、エミッタ層９とを備える。 - 特許庁

The thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 is provided with a subcollector layer 41 and a collector layer 42, and a B-added layer 42A which is added with boron (B) is partially formed in the collector layer 42, thus preventing the reduction of current amplification factor even if the subcollector layer 41 is doped at a high concentration.例文帳に追加

サブコレクタ層４１及びコレクタ層４２が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板１において、コレクタ層４２の一部にホウ素（Ｂ）が添加されているＢ添加層４２Ａを形成し、これによりサブコレクタ層４１を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for HBT for successively laminating and forming the buffer layer 2, the subcollector layer 3, a collector layer 4 and an emitter layer 6 on a semi-insulating substrate 1, graded layers 11 and 12 changed continuously so as to relax the lattice distortion by a composition ratio between the semi-insulating substrate 1 and the buffer layer 2, and between the subcollector layer 3 and the buffer layer 2, respectively.例文帳に追加

半絶縁性基板１上にバッファ層２、サブコレクタ層３、コレクタ層４、ベース層５及びエミッタ層６が順に積層形成されたＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、前記半絶縁性基板１及び前記バッファ層２の間と、前記サブコレクタ層３及び前記バッファ層２の間とに、それぞれ組成比が格子歪を緩和させるように連続的に変化するグレーデッド層１１、１２を形成する。 - 特許庁

The HBT 1 includes a collector electrode 17 on the subcollector layer 40, a base electrode 16 on the emitter layer 100, an emitter electrode 15 on the emitter contact layer 110.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、サブコレクタ層４０上にコレクタ電極１７と、エミッタ層１００上にベース電極１６と、エミッタコンタクト層１１０上にエミッタ電極１５とを備える。 - 特許庁

The present method includes ion implantation of carbon C into one of the following element regions i.e. a collector region, subcollector region, external base region, and collector-base junction region.例文帳に追加

本発明の方法は、以下の素子領域、すなわちコレクタ領域、サブコレクタ領域、外部ベース領域、およびコレクタ−ベース接合領域の１つへの、炭素、Ｃのイオン打込みを含む。 - 特許庁

A substrate 2 is placed on a susceptor S in an OMVPE device, and a subcollector film 30, a collector film 50 and a base film 60 are epitaxially grown on the substrate 2.例文帳に追加

ＯＭＶＰＥ装置内のサセプタＳに基板２を載置し、基板２上にサブコレクタ膜３０、コレクタ膜５０、およびベース膜６０をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for HBT reducing the lattice distortion of a buffer layer and a substrate, or the buffer layer and a subcollector layer, and to obtain HBT using it.例文帳に追加

バッファ層と基板またはバッファ層とサブコレクタ層の格子ひずみを減少させたＨＢＴ用エピタキシャルウェハ及びこれを用いたＨＢＴを得る。 - 特許庁