surface laser-light scattering methodとは 意味・読み方・使い方

To provide a surface emitting semiconductor laser having a structure capable of reducing scattering of light in a laser resonator, and to provide a method of manufacturing the surface emitting semiconductor laser.例文帳に追加

レーザ共振器における光の散乱を低減可能な構造を有する面発光半導体レーザ及びこの面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

It is favorable that a ratio (Dd/Ds) of an average particle diameter (Dd) measured by the laser diffraction-light scattering method and an average particle diameter (Ds) given from the BET specific surface area is 1-3.例文帳に追加

レーザー回析・光散乱法で測定される平均粒径（Ｄｄ）とＢＥＴ比表面積より求められる平均粒径（Ｄｓ）の比（Ｄｄ／Ｄｓ）が１〜３であることが好ましい。 - 特許庁

Moreover, an average particle size of the scaly inorganic fine particles (A) surface-coated with a precious metal as measured by a laser light scattering method is 0.5 to 50 μm, with an aspect ratio of 2 or more.例文帳に追加

さらに貴金属で表面コートしたリン片状無機微粒子（Ａ）のレーザー光散乱法で測定した平均粒子径が０．５〜５０μｍであり、かつアスペクト比が２以上であることを特徴とする導電性ペーストに関する。 - 特許庁

A sonic wave is generated along the surface or inside of a substance by a theory of an induction light scattering method using a short pulse laser and the sonic speed of the sound wave, which is formed from the time response of reflected or diffracted light when probe light is applied to the sound wave formed place, and heat conductivity are measured at the same time.例文帳に追加

本発明では、短パルスレーザーを用いた誘導光散乱法の原理にて物質の表面または内部に音波を生成し、その場所にプローブ光を入射した際の反射光または回折光の時間応答から生成した音波の音速と熱伝導率の同時測定を行う方法である。 - 特許庁

To provide a method for irradiating fine particles with a laser light, and measuring the scattering light; to improve a method for measuring a polysilane contained in an exhaust gas from a CVD apparatus; and to provide a method for measuring the flow and concentration of the polysilane either in plane surface or stereoscopically to obtain a distribution.例文帳に追加

微粒子にレーザー光を照射してその散乱光を測定する方法、更に詳しくはＣＶＤ装置における排気ガスに含まれるポリシランを測定する方法を改良し、ポリシランの流れ、濃度が平面的にあるいは立体的に測定出来ようにし分布を把握できる方法を提供する。 - 特許庁

This evaluation method of the epitaxial wafer uses a scanning device 5 of a laser scattering light system to measure a haze value of the epitaxial layer EP formed on a main surface W1 of a semiconductor wafer W and evaluate the existence of the epitaxial layer EP based on parameters obtained from the haze value.例文帳に追加

本発明のエピタキシャルウェーハの評価方法は、レーザ散乱光方式の走査装置５を用いて、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１に形成されているエピタキシャル層ＥＰのヘイズ値を測定し、ヘイズ値から得られるパラメータに基づいてエピタキシャル層ＥＰの有無を評価する。 - 特許庁