surface streetsとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of processing a wafer in which altered layers are formed along streets in a substrate without damaging devices formed on the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面形成されたデバイスにダメージを与えることなく基板内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer in which reformed layers can be formed in a substrate along streets without damaging a device layer formed on a surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面に形成されたデバイス層にダメージを与えることなく基板内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dividing method of a semiconductor wafer capable of dividing by streets a semiconductor wafer formed by comparing a semiconductor chip including a laminate composed of an insulating film and a function film both formed on the surface thereof into individual semiconductor chips along the streets without peeling the laminate.例文帳に追加

絶縁膜と機能膜から成る積層体が表面に形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、積層体を剥離することなくストリートに沿って個々の半導体チップに分割することができる半導体ウエーハの分割方法を提供する。 - 特許庁

An infrared light from an infrared light source 50 is applied to the front surface side of the wafer 1 to transmit the light therethrough, the transmitted image is taken by an infrared microscope 70 arranged on the rear surface side of the wafer 1, and streets 2 are detected from the image pattern of the front surface of the wafer whose image has been taken.例文帳に追加

ウエーハ１の表面側から赤外光源５０より赤外光を照射して透過させ、ウエーハ１の裏面側に配した赤外線顕微鏡７０で透過像を撮像し、撮像されたウエーハ表面の画像パターンからストリート２を検出する。 - 特許庁

To increase productivity when dividing a wafer, where a plurality of semiconductor device are formed by division with streets, into individual pieces, and to suppress deterioration in quality caused by contamination, surface reforming, or the like.例文帳に追加

複数の半導体装置をストリートで区画して形成したウエハを半導体装置に個片化する際の生産性を向上するとともに、汚染や表面改質等による品質の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a laser processing method for a wafer which includes an altered layer formed inside along streets without causing abrasion even if a device region and an outer circumferential excessive region enclosing it has a difference in surface height.例文帳に追加

デバイス領域とそれを囲む外周余剰領域の表面高さが異なっていても、アブレーションを起こすことなく内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser processing method and a laser processing device for a wafer which have an altered layer formed inside along streets without causing abrasion even if a plurality of devices formed on a surface of the wafer have defective regions.例文帳に追加

ウエーハの表面に形成された複数のデバイスに欠陥領域が存在しても、アブレーションを起こすことなく内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, the sealing film 15 formed of an organic resin such as an epoxy resin is formed on the whole surface of a semiconductor wafer 21 by being applied and hardened, and thereafter second grooves 27 for forming the side part protective film are formed on dicing streets 22 and upper surface sides of the sealing film 15 and the semiconductor wafer 21 in regions on both its sides.例文帳に追加

半導体ウエハ２１上の全面にエポキシ系樹脂等の有機樹脂からなる封止膜１５を塗布硬化させて形成した後に、ダイシングストリート２２上およびその両側の領域における封止膜１５および半導体ウエハ２１の上面側に側部保護膜を形成するための第２の溝２７を形成する。 - 特許庁