t1sとは 意味・読み方・使い方

A pair of insulation material layers 30 and 30 are formed opposite to side end surfaces T1s and T1s of a multilayer film T1.例文帳に追加

多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓ，Ｔ１ｓに対向する一対の絶縁材料層３０，３０を形成する。 - 特許庁

The GND electrode 54 blocks electric fields of a drain electrode T1d, a source electrode T1s and an n^+-Si film 56.例文帳に追加

このＧＮＤ電極５４は、ドレイン電極Ｔ１ｄ、ソース電極Ｔ１ｓ及びｎ^+−Ｓｉ膜５６の電界を遮蔽する。 - 特許庁

Thus, a part having a large tilt angle on the side end surface T1s of the multilayer film T1 works as a lifting layer, and the upper surface of an insulation layer 33 is on the same plane as the upper surface of the multilayer film T1, thereby preventing electrical shortcircuiting between the side end surface T1s and an upper electrode layer 34.例文帳に追加

これにより、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓの傾斜角度が大きくなっている部分が持ち上げ層の役目を果たし、絶縁層３３の上面と多層膜Ｔ１の上面が同一面となり、側端面Ｔ１ｓと上部電極層３４の電気的な短絡を防止できる。 - 特許庁

The insulation material layers 30 and 30 are provided on a lower electrode layer 22, so that, when the multilayer T1 is subject to grinding formation by ion milling, re- adhesion of material in each layer comprising the multilayer to the side end surfaces T1s and T1s in the widthwise direction of track of the multilayer T1 can be suppressed.例文帳に追加

絶縁材料層３０，３０が下部電極層２２上に設けられることにより、多層膜Ｔ１をイオンミリングなどで削り出し形成するときに、多層膜Ｔ１のトラック幅方向の側端面Ｔ１ｓ，Ｔ１ｓへの、多層膜を構成する各層の材料の再付着を低減することができる。 - 特許庁

When a moving picture is displayed (a line period T1_d), the precharge period is controlled to a period T2_d, and when a still picture is displayed (the line period T1S (>T1_d)), the precharge period is controlled to a period T2S (>T2_d).例文帳に追加

動画表示（ライン周期Ｔ１_ｄ）のとき、期間Ｔ２__ｄに制御され、静止画表示（ライン周期Ｔ１_Ｓ（＞Ｔ１_ｄ））のとき、期間Ｔ２__Ｓ（＞Ｔ２_ｄ）に制御される。 - 特許庁

A multilayer film T1 is formed in a manner that a tilt angle of a side end surface T1s in the multilayer film T1 is made larger on the upper side in a fixed magnetic layer 26 than that on the lower side therein.例文帳に追加

多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓの傾斜角度が、固定磁性層２６中の位置の上側より下側の方が大きくなるように、多層膜Ｔ１を形成する。 - 特許庁

Thus, in each driving transistor, even when an overlapped part with the i-Si film 52 is larger owing to variance on alignment shifting of the drain electrode AT1d, the source electrode T1s and the n^+-Si film 56, the electric field of this portion is blocked by the GND electrode 54, reducing the variance on characteristics.例文帳に追加

このため、各駆動トランジスタで、ドレイン電極Ｔ１ｄ、ソース電極Ｔ１ｓ及びｎ^+−Ｓｉ膜５６のアライメントずれがばらついて、ｉ−Ｓｉ膜５２との重なり部分が大きくなった場合でも、この部分の電界がＧＮＤ電極５４によって遮蔽されて、特性のばらつきが小さくなる。 - 特許庁