tapered activeとは 意味・読み方・使い方

A single-gate FinFET structure 100 includes an active fin structure having two enlarged head portions and two respective tapered neck portions that connect the enlarged head portions with an underlying ultra-thin body.例文帳に追加

シングルゲートフィンＦＥＴ構造１００は、２つの拡大された頭部、及び当該拡大された頭部と下層の超薄型ボディとを連結する２つの徐々に細くなる首部を有するアクティブフィン構造を含む。 - 特許庁

The separator 30 is provided with a tapered face 33 which forms an obtuse angle θ with a face 32a to be mated with the positive electrode active material layer 12 at least at the end 30a facing the positive electrode foil 11.例文帳に追加

そして、セパレータ３０は、少なくとも正極箔１１に対峙する端部３０ａに、正極活物質層１２と重なり合う面３２ａとなす角度θが鈍角のテーパ面３３が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device 10; a pad formation T1 with a tapered shape in cross section is formed at a portion near an edge of two opposite sides of an active face of a semiconductor circuit board 1, and two or more pads 5 are provided on the pad formation T1.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体回路基板１の能動面の対向する二辺の端部近傍に、断面テーパー形状を有するパッド形成部Ｔ１を形成し、このパッド形成部Ｔ１上に複数のパッド５が設けられている。 - 特許庁

Electrode pads 5 and 6 formed on the active plane 3 of a substrate 2 and the through electrodes 8 and 9 formed from the rear face 7 of the substrate 2 toward the electrode pads 5 and 6 are electrically connected via tapered plugs 15 and 16 which are formed erectly from the electrode pads 5 and 6 toward the through electrodes 8 and 9.例文帳に追加

基体２の能動面３上に形成された電極パッド５，６と、基体２の裏面７から電極パッド５，６に向けて形成された貫通電極８，９とが、電極パッド５，６から貫通電極８，９に向けて立設された先細形状のプラグ１５，１６を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

In this way, each pad 5 is arranged at the pad formation T1 with the tapered shape in cross section, so the pad 5 is formed aslant, and the size of the pad 5 in plane view becomes small as compared with a case, where the pad with the same size is formed near the edge of the flat active face thereof.例文帳に追加

これにより、断面テーパー形状を有したパッド形成部Ｔ１にパッド５が配設されているので、パッド５が斜めに形成され、同じサイズのパッドを平坦な能動面の端部近傍に形成した場合に比して、平面視でのパッド５のサイズが小さくなる。 - 特許庁

The electrode 1 which is in contact with an uppermost semiconductor layer 2 of a mesa having an inversely tapered end and being provided without being separated from the uppermost semiconductor layer 2, faces active semiconductor layers 3 and 4 which are directly involved with a device operation on the side of the mesa through a gap 5.例文帳に追加

端が逆テーパ形状のメサの最上層の半導体層２に接するとともに、前記最上層の半導体層２から浮き上がらないように設けた電極１を、前記メサの側部において素子動作に直接関与する能動半導体層３，４と間隙５を持って対向させる。 - 特許庁