trap wordとは 意味・読み方・使い方

The charge trap insulator memory comprises a lower word line, a P type float channel for retaining a floating state formed above the lower word line, a charge trap insulator formed above the P type float channel and storing data, an upper word line formed above a charge trap insulator in parallel with the lower word line, and an N type drain region and an N type source region formed on both sides of the float channel.例文帳に追加

下部ワードラインと、下部ワードラインの上部に形成されフローティング状態を維持するＰ型フロートチャンネルと、Ｐ型フロートチャンネルの上部に形成されデータが格納されるチャージトラップインシュレータと、チャージトラップインシュレータゲートの上部に下部ワードラインと平行に形成された上部ワードラインと、フロートチャンネルの両側に形成されたＮ型ドレイン領域及びＮ型ソース領域とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Then, the bit line work mask 22 is removed, a word line 7 composed of a gate electrode is formed on the charge trap layer 3 and the bit line insulating film 10, and the memory cell is established.例文帳に追加

その後、ビット線加工マスク２２を除去して、電荷トラップ層３及びビット線絶縁膜１０上に、ゲート電極からなるワード線７を形成して、メモリセルを完成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of diffusion bit lines 108, a plurality of word lines 114, a plurality of trap films 102 having a charge holding function, and a plurality of bit line insulating film 110.例文帳に追加

半導体装置は、複数の拡散ビット線１０８と、複数のワード線１１４と、電荷保持機能を有する複数のトラップ膜１０２と、複数のビット線絶縁膜１１０とを備える。 - 特許庁

This invention provides the semiconductor device comprising an ONO film 20 including a trap layer 16 formed on a semiconductor substrate 10, the word lines 22 formed on the ONO film 20, and silicon oxide layers 24 formed on the semiconductor substrate 10 between the word lines 22 and between tunnel oxide films 14.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１０上に設けられたトラップ層１６を含むＯＮＯ膜２０と、ＯＮＯ膜２０上に設けられたワードライン２２と、ワードライン２２間の半導体基板１０上の設けられ、トンネル酸化膜１４の間に設けられた酸化シリコン層２４と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

The memory string MS comprises a columnar semiconductor CLmn extended vertically with respect to a substrate Ba, a trap film (charge accumulation layer) 21 contacted with the columnar semiconductor CLmn for accumulating charges, a block insulating film 22 contacted with the trap film 21, and a word line WL contacted with the block insulating film 22.例文帳に追加

メモリストリングスＭＳは、基板Ｂａに対して垂直方向に延びる柱状半導体ＣＬｍｎと、柱状半導体ＣＬｍｎに接し且つ電荷を蓄積するトラップ膜（電荷蓄積層）２１と、トラップ膜２１に接するブロック絶縁膜２２と、ブロック絶縁膜２２と接するワード線ＷＬとを備える。 - 特許庁

A device comprising a portable telephone 1 and a cover-having water proof outer casing 2 is locked for preventing changing a number without input of the telephone number of a receiving site and a pass word before attaching to a trap.例文帳に追加

携帯電話１と携帯電話の表示部の上部が透明な有蓋防水外箱２からなる装置を、罠に取り付ける前に受信側電話番号の入力及び暗証番号なしでは番号の変更ができなくする為のロックをする。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a charge storage means (carrier trap) scattered in a multilayer insulation film 1 of a plurality of insulation films 2, 3 and 4 formed beneath the gate electrode (word line WL2, WL3) of each of a plurality of electrically writable and erasable memory elements and between the gate electrodes of adjacent memory elements.例文帳に追加

電気的に書き込みおよび消去が可能な複数の記憶素子を有し、各記憶素子のゲート電極（ワード線ＷＬ２，ＷＬ３）下方および隣接する記憶素子のゲート電極間で複数の絶縁膜２，３，４を積層して形成された積層絶縁膜１内に離散化された電荷蓄積手段（キャリアトラップ）を含む。 - 特許庁