vertical FETとは 意味・読み方・使い方

VERTICAL FET TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

バ—チカルＦＥＴトランジスタ及び該バ—チカルＦＥＴトランジスタの作製方法 - 特許庁

A power MOS FET Q1, as the high side of a composite power MOS-FET PM which constitutes a DC-DC converter, is composed of a lateral MOS-FET, and a power MOS-FET Q2 as the low side of the composite power MOS-FET PM is composed of a vertical MOS-FET.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する複合パワーＭＯＳ・ＦＥＴ ＰＭのハイ側のパワーＭＯＳ・ＦＥＴＱ１を横型のＭＯＳ・ＦＥＴで構成し、ロウ側のパワーＭＯＳ・ＦＥＴＱ２を縦型のＭＯＳ・ＦＥＴで構成した。 - 特許庁

In one embodiment, a semiconductor device includes a main vertical field effect transistor (FET) and a detection FET.例文帳に追加

１つの実施形態において、半導体デバイスは、メイン垂直電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と検知ＦＥＴとを含む。 - 特許庁

The source region of the main vertical FET and that of the detection FET are separated in a first lateral direction for electrical insulation.例文帳に追加

メイン垂直ＦＥＴ及び検知ＦＥＴのソース領域は、第１の横方向で分離され電気的に絶縁されている。 - 特許庁

FULLY-DEPLETED, FULLY-INVERTED, SHORT-LENGTH AND VERTICAL CHANNEL, DUAL-GATE, CMOS FET例文帳に追加

完全空乏、完全反転、垂直チャネル、短長及びデュアル・ゲート型ＣＭＯＳ電界効果トランジスタ - 特許庁

To further raise the integration degree of a semiconductor device using a vertical field effect transistor (FET).例文帳に追加

縦型電界効果トランジスタを利用した半導体装置において、集積度を更に向上させること。 - 特許庁

The main vertical FET and the detection FET share an extension drain region formed in the pillar on a substrate, and first and second gate members formed in a dielectric on both sides of the pillar.例文帳に追加

両方とも基板の上のピラー内に形成された拡張ドレイン領域と、ピラーの両側上で誘電体内に形成された第１及び第２のゲート部材とを共用する。 - 特許庁

A short-length vertical channel, dual-gate, CMOS FET obtains improved immunity to short channel effects.例文帳に追加

長さの短い垂直方向のチャネル、デュアル・ゲート、ＣＭＯＳ型ＦＥＴが、ショート・チャネル効果に対する改善された免疫性を獲得している。 - 特許庁