vertical double diffusionとは 意味・読み方・使い方

VERTICAL DOUBLE DIFFUSION MOS FET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

縦型二重拡散ＭＯＳＦＥＴとその製造方法 - 特許庁

To obtain a vertical double diffusion MOS FET which has a stable quality.例文帳に追加

品質の安定した縦型二重拡散ＭＯＳＦＥＴを得る。 - 特許庁

In the vertical MOS semiconductor device 1, a source region is formed of double diffusion structures 5 and 6 of different impurity concentrations.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳ半導体装置１では、ソース領域を不純物濃度の異なる二重拡散構造５、６により形成する。 - 特許庁

The semiconductor relay employing a vertical double diffusion MOSFET comprises a first epitaxial layer formed on a substrate, a second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer with higher density than the first epitaxial layer, a vertical double diffusion MOSFET formed on the first and second epitaxial layers, and a floating field ring formed around the vertical double diffusion MOSFET at the boundary of the first and second epitaxial layers.例文帳に追加

縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体リレーにおいて、基板上に形成された第１のエピタキシャル層と、この第１のエピタキシャル層上にさらに形成され第１のエピタキシャル層よりも濃度の高い第２のエピタキシャル層と、第１及び第２のエピタキシャル層上に形成された縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴと、縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴの周囲であって第１及び第２のエピタキシャル層の境界部分に形成されたフローティングフィールドリングとを設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a vertical double diffusion MOS transistor in a trench gate structure, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device capable of simplifying a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程を簡素化することができる、トレンチゲート構造の縦型二重拡散ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁