vertical driftとは 意味・読み方・使い方

A semiconductor device comprises: second-conductive-type drift regions that are formed in a first-conductive-type well region formed in a semiconductor substrate 100 so as to be spaced apart from each other; vertical regions 320 that are protruded from the drift regions 310; and second-conductive-type source/drain regions 600 that are formed on the vertical regions.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板１００に形成された第１導電型ウェル領域に相互離隔して形成される第２導電型ドリフト領域、ドリフト領域３１０上に突起されるバーティカル領域３２０、及びバーティカル領域上に形成される第２導電型ソース／ドレイン領域６００を含む。 - 特許庁

The breakdown-proof structure around a vertical drift part 22 has a second parallel p-n structure, in which a layered vertical n-type region 120a orientated in the thickness direction of the substrate and a layered vertical p-type region 120b are jointed alternately.例文帳に追加

縦形ドリフト部２２の周りの耐圧構造部１２０は、基板の厚さ方向に配向する層状縦形のｎ型領域１２０ａと、基板の厚さ方向に配向する層状縦形のｐ型領域１２０ｂとを交互に繰り返して接合して成る第２の並列ｐｎ構造を有している。 - 特許庁

After the damage layer 12 is removed, an n^- type drift layer 3 is formed to produce the SiC semiconductor device which can form a vertical semiconductor device.例文帳に追加

この後、ダメージ領域を除去した後、ｎ^-型ドリフト層３を形成することで、縦型の半導体素子が形成可能なＳｉＣ半導体基板を製造することができる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a vertical structure in which an N^+-type source region 15 and an N^--type drift region 13 are arranged spaced apart from each other across a P-type body region 12 in a vertical direction perpendicular to a surface 9 (main surface) of an epitaxial layer 8.例文帳に追加

半導体装置１は、Ｎ^＋型ソース領域１５とＮ^−型ドリフト領域１３とがエピタキシャル層８の表面９（主面）に垂直な縦方向にＰ型ボディ領域１２を介して離間して配置された、縦型構造を有する。 - 特許庁

As a result, since the drift region 21 and single crystalline region 17 can be completely depleted, there can be obtained a vertical n+ type MOS field effect transistor 1 which has a high withstand voltage.例文帳に追加

以上により、ｎ^+型ドリフト領域２１およびｐ^-型シリコン単結晶領域１７を完全空乏化できるので、縦型ＭＯＳ電界効果トランジスタ１によれば、耐圧を高くすることができる。 - 特許庁

To increase the breakdown strength of a vertical MOSFET, which is provided with a striped base area surrounded by a drift area and has a reduced on-resistance.例文帳に追加

ドリフト領域に囲まれたストライプ状のベース領域を有し、オン抵抗を低減させた縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、その耐圧を高くすることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, in the other area on the same substrate, a vertical npn transistor having a second buried area 23, a drift area 32, a second emitter area 36 and a second base area 35 is integrated.例文帳に追加

また、同一基板上の別の領域においては、第２埋込領域２３、ドリフト領域３２、第２エミッタ領域３６、第２ベース領域３５を有する縦型ｎｐｎトランジスタが集積化されている。 - 特許庁

In the vertical MIS transistor structure, a source trench 5 is formed in a manner to penetrate the surface 12 of the epitaxial layer 11, the source area 15 and the body area 13 to the drift area 14.例文帳に追加

この縦型ＭＩＳトランジスタ構造は、エピタキシャル層１１の表面１２からソース領域１５およびボディ領域１３を貫通してドリフト領域１４に達するソーストレンチ５が形成されている。 - 特許庁