あつ乃の英語

また、膜厚が０．１乃至５０μｍであることが好ましい。例文帳に追加

Further, the thickness of the film is preferably 0.1-50 μm. - 特許庁

第１乃至第４検出電圧生成部３８Ａ乃至３８Ｄによる第１乃至第４検出信号Ｖ１乃至Ｖ４の生成が行なわれず、これにより第１乃至第４検出信号Ｖ１乃至Ｖ４の入力ポート４０１０、４０１２、４０１４、４０１６への供給が停止される。例文帳に追加

Then, first to fourth detection signals V1 to V4 are not generated by first to fourth detection voltage generators 38A to 38D, so that the first to fourth detection signals V1 to V4 are stopped from being supplied to input ports 4010, 4012, 4014 and 4016. - 特許庁

また、前記付加圧延工程の後に、２００乃至７００℃に０．５乃至１５時間加熱するか、又は３００乃至９５０℃に１０乃至１０００秒間加熱することにより、歪み取り焼鈍を実施することができる。例文帳に追加

Further, heating is performed at 200 to 700°C for 0.5 to 15 hr or at 300 to 950°C for 10 to 1,000 s after the additional rolling stage, so that stress relieving annealing can be performed. - 特許庁

本発明においては、超音波接合における接合条件は、加圧力Ｐを２９４乃至３４３０Ｎ、振幅を２０乃至８０μｍ、周波数を１０乃至５０ｋＨｚ、そして接合エネルギーを２００乃至８００Ｊに設定する。例文帳に追加

The joining condition in the ultrasonic joining is set so that the pressure P is 294 to 3,430 N, the amplitude is 20 to 80 μm, the frequency is 10 to 50 kHz, and the joining energy is 200 to 800 J. - 特許庁

電圧発生回路３０には、差動増幅回路１、Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ１乃至３、Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ１１乃至１３、Ｐｃｈ ＭＩＳトランジスタＰＴ１１乃至１３、抵抗Ｒ_Ａ１乃至Ｒ_Ａ４、及び抵抗Ｒ_Ｓ１乃至Ｒ_Ｓ４が設けられる。例文帳に追加

This voltage generating circuit 30 is provided with a differential amplifier circuit 1, Nch MIS transistors NT1-3, Nch MIS transistors NT11-13, and Pch MIS transistors PT11-13, resistances R_A1-R_A4, and resistances R_S1-R_S4. - 特許庁

前記薄鋼板の厚さは、通例０．１乃至０．５ｍｍとし、また、前記シール材の厚さは、通例０．１乃至０．２ｍｍとする。例文帳に追加

Thickness of the thin steel plate is usually 0.1 to 0.5 mm, and thickness of the seal material is usually 0.1 to 0.2 mm. - 特許庁

この箔地は、例えば、冷間圧延の総圧下率が８５乃至９５％であり、その箔地厚さは０.１８乃至０.３ｍｍである。例文帳に追加

The material for this aluminum alloy foil has, for example, the total draft percentage of cold rolling of 85-95%, and the thickness of this foil material of 0.18-0.3 mm. - 特許庁

Ｃ被覆層２ａの平均厚さは５乃至３０ｎｍである。例文帳に追加

The average thickness of the C-covered layer 2a is 5 to 30 nm. - 特許庁