キャリア濃度の英語

直胴部３０は、キャリア濃度が４．０×１０^１８ｃｍ^−３以下である低キャリア濃度部３１と、キャリア濃度が４．０×１０^１８ｃｍ^−３を超える高キャリア濃度部３２とを含んでいる。例文帳に追加

The straight body portion 30 includes a low carrier concentration portion 31 with carrier concentration of 4.0×10^18 cm^-3 or less and a high-carrier concentration portion 32 with carrier concentration exceeding 4.0×10^18 cm^-3. - 特許庁

第１の窓層４ａのキャリア濃度は、第２の窓層４ｂのキャリア濃度より低く設定されている。例文帳に追加

The carrier concentration of the first window layer 4a is set lower than that of the second window layer 4b. - 特許庁

第２のＩｎＰ層１５のキャリア濃度Ｃ２は第１のＩｎＰ層１３のキャリア濃度Ｃ１より大きい。例文帳に追加

Carrier concentration C2 of the second InP layer 15 is higher than the carrier concentration C1 of the first InP layer 13. - 特許庁

低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６のｐｎ接合近辺のキャリア濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。例文帳に追加

The carrier concentration near the pn junction of the low carrier concentration p type InP layer 26 is equal to or less than 5×10^17 cm^-3. - 特許庁

各活性層２Ａ〜２Ｆはそれぞれ異なるキャリア濃度（不純物濃度）を有しており、キャリア濃度が少なく電気抵抗率の大きな不活性層３で分離されている。例文帳に追加

Each active layer 2A-2F has a carrier concentration (impurity concentration) that differs from the others, respectively and is separated by inactive layers 3, whose carrier concentrations are low and the electrical resistivities are high. - 特許庁

第１のｐ型反転領域５ａのキャリア濃度は第２のｐ型反転領域５ｂのキャリア濃度より高く設定されている。例文帳に追加

The carrier concentration of the first p-type inversion area 5a is set higher than that of second p-type inversion area 5b. - 特許庁

磁化測定装置でキャリア濃度を制御しながら測定すること。例文帳に追加

To perform measurement while controlling a carrier concentration by a magnetization measuring device. - 特許庁

半導体基板のキャリア濃度を精度良く効率的に測定する。例文帳に追加

To accurately and efficiently measure a carrier concentration in a semiconductor substrate. - 特許庁