「"電荷整列相"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

このことで、磁場以外の他の制動によって電荷整列相転移を誘起させ、これをメモリデバイスに用いることを可能とする。例文帳に追加

Thus, the transition is induced by other braking except the magnetic field, and this can be used for the memory device. - 特許庁

磁場以外の他の制動によって電荷整列相転移を誘起させ、これをメモリデバイスに用いた電荷注入型スピントランジスタを得る。例文帳に追加

To obtain a charge injection spin transistor which induces a charge alignment phase transition by other braking except a magnetic field and which uses the transition for a memory device. - 特許庁

メモリ素子等に適用可能な、巨大抵抗変化の原理となる電荷整列相を室温以上において示すペロブスカイトマンガン酸化物薄膜及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a perovskite manganese oxide thin film which shows a charge alignment phase becoming a principle of the enormous resistance change at a temperature not lower than room temperature and can be applied to a memory element or the like. - 特許庁

上記薄膜についてラマン散乱強度の温度依存性を調べた結果、室温においてもＢｉ_0.5Ｓｒ_0.5ＭｎＯ_3薄膜に電荷整列相が存在するという新規知見が得られた。例文帳に追加

As a result of checking the temperature dependency of Raman scattering intensity of the thin film, a new knowledge that the charge alignment phase exists in the Bi_0.5Sr_0.5MnO_3 thin film even at room temperature has been obtained. - 特許庁

ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物層１２にソース電極１３、ドレイン電極１４を設け、さらに上記電荷整列相転移を誘起させるために上記ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物層１２上に絶縁層１５を介してゲート電極１６を有する構造とする。例文帳に追加

The charge injection spin transistor comprises a perovskite Mn oxide layer 12 having a source electrode 13, a drain electrode 14, and further a structure having a gate electrode 16 on the layer 12 via an insulating layer 15 to induce the charge alignment phase transition. - 特許庁