「"Oxidation System"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of operating a multi-stage ion transport membrane oxidation system.例文帳に追加

多段イオン輸送膜酸化システムを操作する方法を提供する。 - 特許庁

An oxidation system comprises a bacteria oxidation tank, a neutralization tank, and a bacteria recovery tank.例文帳に追加

バクテリア酸化槽と中和槽とバクテリア回収槽からなる酸化系を構成する。 - 特許庁

SILVER-SUPPORTED CATALYST AND ITS PRODUCTION METHOD, AND SILVER CATALYST SUPPORT TYPE GAS DIFFUSION ELECTRODE, AND ELECTROLYTIC OXIDATION METHOD AND ELECTROLYTIC OXIDATION SYSTEM USING IT,例文帳に追加

銀担持触媒及びその製造方法並びに銀触媒担持型ガス拡散電極及びそれを用いた電解酸化処理方法と電解酸化装置 - 特許庁

To provide a reformer in which an undesired high temperature portion is prevented from being formed in a reaction part of a catalytic oxidation system to prevent flashback.例文帳に追加

触媒酸化方式の反応部で不要な高温部位が形成されることを防止し、逆火を防止することができる改質装置を提供する。 - 特許庁

To provide a catalytic oxidation system which reduces its installation space, improves thermal efficiency, saves energy and reduces initial and running costs.例文帳に追加

設置スペースの低減、熱効率の向上及び省エネルギ化を図ることができ、イニシャルコスト及びランニングコストを低減しうる触媒式酸化処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an anodic oxidation system to perform electrochemical oxidation of a substrate to be treated, and an oxide layer manufacturing method in which a series of treatments are performed with a simple configuration considering carriage of the substrate.例文帳に追加

被処理基板に電気化学的に酸化を施す陽極酸化システムおよび酸化層の製造方法において被処理基板の搬送をも考えてより単純な装置構成で一連の処理を行うことが可能な陽極酸化システムおよび酸化層の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This oxidation composition for treating a keratin fibers is obtained by adding (a) at least one kind of an enzyme oxidation system containing a two-electron or a four-electron oxidoreductase or a peroxidase type at least one kind of an enzyme and (b) at least one kind of a crosslinked copolymer of maleic anhydride/a 1-5C alkyl vinyl ether to a medium suitable for keratin fibers.例文帳に追加

ケラチン繊維に適した媒体に：(ａ)２電子又は４電子オキシドレダクターゼ又はペルオキシダーゼ型の少なくとも１つの酵素を含有する少なくとも１種の酵素酸化系、(ｂ)少なくとも１種の無水マレイン酸／(Ｃ_１-Ｃ_５)アルキルビニルエーテルの架橋したコポリマーを含有せしめて、ケラチン繊維を処理するための酸化組成物とする。 - 特許庁

The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁