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"Random Defect"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
A critical area of one via is calculated on the basis of sizes of a plurality of vias, sizes of defects causing random defect failures of the plural vias and a distance from the one via to another adjacent via.例文帳に追加
複数のビアのサイズ、複数のビアのランダム欠陥不良の原因となる欠陥のサイズ、及び複数のビアのうちの一のビアと該一のビアに隣接する他のビアとの間の距離に基づいて、一のビアのクリティカルエリアを算出する。 - 特許庁
It is a defect data analysis method to analyze the defect distribution status based on defect position coordinates detected by an inspection device to classify into any one of the distribution characteristics categories among iterations defect, high density defect, line distribution defect, ring/massive distribution defect, and random defect.例文帳に追加
検査装置によって検出された欠陥位置座標に基づいて欠陥の分布状態を解析し、繰り返し欠陥、密集欠陥、線状分布欠陥、環・塊状分布欠陥、ランダム欠陥のうちいずれかの分布特徴カテゴリに分類する。 - 特許庁
Distribution state of defects is analyzed based on a defect position coordinate detected by an inspection equipment and classified into one distribution feature category of repetitive defect, aggregated defect, linear distribution defect, annular block distribution defect or random defect.例文帳に追加
検査装置によって検出された欠陥位置座標に基づいて欠陥の分布状態を解析し、繰り返し欠陥、密集欠陥、線状分布欠陥、環・塊状分布欠陥、ランダム欠陥のうちいずれかの分布特徴カテゴリに分類する。 - 特許庁
As for each defective memory cell (unit bit defect) by a so-called random defect without providing any redundant cell array, data to be stored in the defective memory cell is held by a latch circuit 22 disposed between column data 12 and an I/O buffer 21, and the held data is output in place of the data of the defective memory cell.例文帳に追加
冗長セルアレイを持たず、所謂ランダム欠陥による各個の欠陥メモリセル(単ビット欠陥)に関して、この欠陥メモリセルに格納されようとするデータを、列データ12と入出力バッファ21との間に設けられたラッチ回路22によってデータを保持し、また、該保持されたデータを欠陥メモリセルのデータに替えて出力するようにした。 - 特許庁
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