例文 (9件) |
"epitaxy layer"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
TRANSFER METHOD OF TRANSVERSE COATING GROWTH EPITAXY LAYER例文帳に追加
横方向被覆生長エピタキシ層の転移方法 - 特許庁
GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXY LAYER STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法 - 特許庁
To provide a method of forming a light-emitting diode device preventing a light-emitting diode epitaxy layer from being damaged when separating the light-emitting diode epitaxy layer from a non-conductive substrate.例文帳に追加
発光ダイオードエピタクシー層と非導電基板を分離する場合に発光ダイオードエピタクシー層を損傷させることがない発光ダイオードデバイスの形成方法を提供する。 - 特許庁
In particular, the micro pixel may have a p-type conductive epitaxy layer and a PN junction layer formed vertically inside the epitaxy layer.例文帳に追加
特に、前記マイクロピクセルは、p型伝導性のエピタキシ層と、前記エピタキシ層の内部に垂直に形成されるPN接合層と、を備えていてもよい。 - 特許庁
The semiconductor device including an LDMOSFET comprises a conductive plug extending downward from an upper surface in vicinity of an impurity doped region of a source of the LDMOSFET to vicinity of a silicon substrate through an epitaxy layer with a bottom edge staying in the epitaxy layer, and containing silicon as main composition.例文帳に追加
本願発明は、LDMOSFETを含む半導体装置であって、LDMOSFETのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 - 特許庁
On the surface of the light-emitting diode epitaxy layer on the non-conductive substrate, a conductive substrate is formed by electroplating or junction, thus manufacturing a light-emitting diode chip.例文帳に追加
非導電基板上の発光ダイオードエピタクシー層表面は、電気メッキまたは接合を用いて導電基板を形成し、発光ダイオードチップを作る。 - 特許庁
The light emitting diode elements are formed with a high heat conductive substrate, a non-conductor type protective layer, a metal bonding layer, a mirror plane protective layer, an ohmic contact epitaxy layer, an upper coating layer, an active layer, and a lower coating layer.例文帳に追加
発光ダイオード素子は、高導熱基板と、非導体型保護層と、金属接着層と、鏡面保護層と、オーミックコンタクトエピタキシ層と上被覆層と活性層と下被覆層とを形成してなる。 - 特許庁
As to a semiconductor device containing power MOSFET section having a super junction structure formed in the active cell section by the trench philharmonic system, the upper part of the base epitaxy layer is so made that it has a multilevel structure having high impurity concentration.例文帳に追加
本願の一つの発明は、アクティブセル部にトレンチフィル方式によって形成されたスーパジャンクション構造を有するパワーMOSFET部を含む半導体装置において、ベースエピタキシ層を上方が不純物濃度の高い多段構造としたものである。 - 特許庁
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