「"metal contacts"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING INTERGRATED CIRCUIT PROTECTED FROM REVERSE ENGINEERING BY USING FALSE METAL CONTACTS WIRE TERMINATING ON FIELD OXIDE例文帳に追加

フィールド酸化物上で終端する見かけの金属接点線を使用してリバースエンジニアリングに対して保護された集積回路及びこれを製造するための方法 - 特許庁

To provide an AC_LED system in single chip, having three metal contacts, that can be driven by a three-phase voltage.例文帳に追加

三つの金属接点を有する単一チップにおけるＡＣ＿ＬＥＤシステムであって、且つ三相電圧によって駆動できるＡＣ＿ＬＥＤシステムを提供する。 - 特許庁

The plurality of the semiconductor devices 10 are stored in the case 38 while a part of the case 38 formed by metal contacts with the heat sink 11.例文帳に追加

複数個の半導体装置１０は、金属で形成されたケース３８の一部がヒートシンク１１に接触している状態でケース３８に収容されている。 - 特許庁

Various configurations of the PN junction and the N and P metal contacts for the ESD diode are described for increasing the breakdown voltage and for improving test conditions.例文帳に追加

破壊電圧を高め、試験条件を改良するための、ＥＳＤダイオード用のＰＮ接合部とＮ及びＰ金属接点の各種構成が記載されている。 - 特許庁

A plurality of AC_LED units are coupled and disposed on the single chip to form an AC_LED system in single chip having three metal contacts that is driven by three-phase voltage.例文帳に追加

単一のチップにカップリングされている複数のＡＣ＿ＬＥＤが設けられ、三相電圧に駆動され、三つの金属接点を有する単一のチップにおけるＡＣ＿ＬＥＤシステムを作成する。 - 特許庁

To solve the problem of degradation in gate insulating film and MOS interface properties, attributable to rapid heating to a high temperature for the formation of metal contacts in contact with single crystal silicon carbide, without causing an increase in ohmic contact resistance.例文帳に追加

単結晶炭化珪素に対する金属コンタクト形成時の急速高温加熱処理に起因するゲート絶縁膜ならびにＭＯＳ界面特性の劣化を、オーミック接触の接触抵抗の増大を招くことなく解決する。 - 特許庁

Potential is applied to the source and drain by voltage source (112) through leads (116) connected to the source/drain metal contacts (123, 142).例文帳に追加

ソース／ドレイン金属接点（１２３、１４２）に接続されたリード線（１１６）を介して電圧源（１１２）によってソースおよびドレインに電位が印加される。 - 特許庁

The connector comprises a sheet-shaped metal contacts (40, 42) provided with the terminal end parts (60, 62) for ending the wire and joint tip ends (70, 72) for joining with other contact device like the pad of a circuit board.例文帳に追加

ワイヤーを終結させるための終端部（６０、６２）と回路基板のパッドのような他のコンタクト素子と結合するための結合先端（７０、７２）を備えた薄板状の金属コンタクト（４０、４２）を含むコネクタ。 - 特許庁

A metal line 28 is connected to an active region 12, a gate electrode 14, and a bit line 16 through second to force metal contacts 26b-26d, respectively.例文帳に追加

メタルライン２８は第２ないし第４メタルコンタクト２６ｂ〜２６ｄを通してアクティブ領域１２、ゲート電極１４およびビットライン１６と各々連結される。 - 特許庁

A method includes: providing a semiconductor including a front side, a back side, and a PN junction, the front side including a pattern of conductive tracks including an underlayer and the back side including metal contacts; contacting the semiconductor with a monovalent copper plating composition; and plating a copper layer on the underlayer of the conductive tracks.例文帳に追加

前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 - 特許庁

The gas flow passage constitutive material 20A is expanded metal formed of a metal thin plate S, and an area 50 development-worked face-directionally to widen a contact area contacting with the membrane-electrode assembly side 3 is formed in a portion where the expanded metal contacts with the membrane-electrode assembly side 3.例文帳に追加

ガス流路構成材２０Ａは金属薄板Ｓから形成されたエキスパンドメタルであり、エキスパンドメタルが膜電極接合体３と接する部分には、膜電極接合体３との接触面積を大きくするための面方向に展開加工された領域５０を形成する。 - 特許庁

The method for forming a multichip module comprises a step for forming a plurality of capacitors on a semiconductor substrate, a step for forming a plurality of metal contacts on the plurality of capacitors, and a step for applying a photoresist layer onto the semiconductor substrate wherein plating is removed from a failure capacitor.例文帳に追加

半導体基板上に複数のコンデンサを形成する段階と、複数のコンデンサ上に複数の金属接点を形成する段階と、半導体基板上にフォトレジスト層を被着させる段階とを含み、不良コンデンサのメッキ除去を行う。 - 特許庁