| 意味 | 例文 (999件) |
あいものの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 49487件
ＩＩＩ族窒化物半導体複合基板、ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及びＩＩＩ族窒化物半導体複合基板の製造方法例文帳に追加
GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR COMPOSITE SUBSTRATE, GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR COMPOSITE SUBSTRATE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体層の形成方法、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板例文帳に追加
METHOD FOR FORMING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体層の形成方法、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体基板例文帳に追加
METHOD OF FORMING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶成長装置およびＩＩＩ族窒化物結晶および半導体デバイス例文帳に追加
GROUP III NITRIDE CRYSTAL GROWTH METHOD, GROUP III NITRIDE CRYSTAL GROWTH APPARATUS, GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体素子、多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体層及び多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体層の形成方法例文帳に追加
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, MULTI-WAVELENGTH LIGHT EMITTING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-WAVELENGTH LIGHT EMITTING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶、ＩＩＩ族窒化物半導体基板、半導体装置およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法例文帳に追加
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, MANUFACTURING METHOD THEREOF, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体の表面処理方法、ＩＩＩ族窒化物半導体及びその製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体構造物例文帳に追加
SURFACE TREATMENT METHOD FOR GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよび発光デバイス例文帳に追加
METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体薄膜、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびＩＩＩ族窒化物半導体薄膜の製造方法例文帳に追加
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体素子、ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法例文帳に追加
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置およびＩＩＩ族窒化物結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶および半導体デバイス例文帳に追加
APPARATUS AND PROCESS FOR GROWING GROUP III NITRIDE COMPOUND CRYSTAL AND GROUP III NITRIDE COMPOUND CRYSTAL AND ITS SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、および該製造方法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶、ＩＩＩ族窒化物結晶基板例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD FOR GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE OBTAINED BY THE SAME - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶成長装置およびＩＩＩ族窒化物結晶例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物結晶の作製装置、Ａｌを含むＩＩＩ族窒化物結晶の作製方法、およびＡｌを含むＩＩＩ族窒化物結晶例文帳に追加
MANUFACTURING APPARATUS OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL CONTAINING Al, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体成長用基板、ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板、ＩＩＩ族窒化物半導体素子、ならびに、これらの製造方法例文帳に追加
SUBSTRATE FOR GROWING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR, GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, FREE-STANDING SUBSTRATE FOR GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置及びＩＩＩ族窒化物結晶例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING GROUP III ELEMENT NITRIDE CRYSTAL, AND GROUP III ELEMENT NITRIDE CRYSTAL - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物電子デバイス、ＩＩＩ族窒化物電子デバイスのための積層体ウエハ、およびＩＩＩ族窒化物電子デバイスを作製する方法例文帳に追加
GROUP III NITRIDE ELECTRONIC DEVICE, LAMINATE WAFER FOR GROUP III NITRIDE ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE ELECTRONIC DEVICE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE LIGHT EMISSION ELEMENT, AND GROUP III NITRIDE LIGHT EMISSION ELEMENT - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物結晶の作製装置、ＩＩＩ族窒化物結晶の積層構造体の作製方法及びＩＩＩ族窒化物結晶の積層構造体例文帳に追加
APPARATUS FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, LAMINATION STRUCTURE OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物結晶の作製装置、ＩＩＩ族窒化物結晶の作製方法、およびＩＩＩ族窒化物結晶例文帳に追加
GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD THEREOF - 特許庁
互いに相手や相手のものを食うこと例文帳に追加
the action of consuming each other as well as each others' possessions - EDR日英対訳辞書
筆で書いたものの墨のつきぐあいが太いさま例文帳に追加
of a line written in ink with a writing brush, the condition of being thick - EDR日英対訳辞書
10代の恋愛ものの相手役に用いられる、若男（わかおとこ）例文帳に追加
Wakaotoko for a partner in his teens in love stories - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
朽木いきものの里ふれあいセンター例文帳に追加
Kutsuki Ikimono Fureai no Sato (Village of The Creature Contact) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
好ましいシリコーンは色（Ｉ）から（ＩＶ）で示すものである。例文帳に追加
The silicone preferably develops any one of colors (I) to (IV). - 特許庁
「1時間ほどあいつと外に出てきたいものです」例文帳に追加
"I'd like to be out there with him for about an hour." - F. Scott Fitzgerald『グレイト・ギャツビー』
異なって違ったものとしての、物事の間の区別例文帳に追加
a discrimination between things as different and distinct - 日本語WordNet
ＩＩＩ族窒化物半導体素子及び多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体層例文帳に追加
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MULTI-WAVELENGTH LIGHT EMITTING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物電子デバイス及びＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板例文帳に追加
GROUP III NITRIDE ELECTRONIC DEVICE AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶、その製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ例文帳に追加
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体積層ウェハ及びＩＩＩ族窒化物半導体デバイス例文帳に追加
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR STACKED WAFER AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体結晶例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法例文帳に追加
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURE METHOD - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ、及びＩＩＩ族窒化物半導体レーザを作製する方法例文帳に追加
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD OF MANUFACTURING THE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER - 特許庁
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板の製造方法例文帳に追加
GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR AND III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁
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原題：”STRANGE CASE OF DR. JEKYLL AND MR. HYDE” 邦題：『ジキルとハイド』 | This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide. Katokt(katokt@pis.bekkoame.ne.jp)訳 (C) 2001 katokt プロジェクト杉田玄白（http://www.genpaku.org/）正式参加作品 本翻訳は、この版権表示を残す限りにおいて、訳者および著者に対して許可をとったり使用料を支払ったりすることいっさいなしに、商業利用を含むあらゆる形で自由に利用・複製が認められる。（「この版権表示を残す」んだから、「禁無断複製」とかいうのはダメ） |
原題：”The Great Gatsby” 邦題：『グレイト・ギャツビー』 | This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide. 翻訳：枯葉 プロジェクト杉田玄白正式参加テキスト。 最新版はhttp://www005.upp.so-net.ne.jp/kareha/にあります。 Copyright (C) F. Scott Fitzgerald 1926, expired. Copyright (C) Kareha 2001-2002,waived. |
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