意味 | 例文 (999件) |
ドーピング...を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1463件
ドーピング方法、ドーピング装置の制御システム、およびドーピング装置例文帳に追加
DOPING METHOD, DOPING DEVICE AND CONTROL SYSTEM THEREOF - 特許庁
イオンドーピング装置例文帳に追加
ION DOPING APPARATUS - 特許庁
イオンドーピング装置およびイオンドーピング方法例文帳に追加
ION DOPING APPARATUS AND ION DOPING METHOD - 特許庁
イオンドーピング装置及びイオンドーピング方法例文帳に追加
ION-DOPING EQUIPMENT AND ION-DOPING METHOD - 特許庁
イオンドーピング方法及びイオンドーピング装置例文帳に追加
ION-DOPING METHOD AND ION-DOPING DEVICE - 特許庁
イオンドーピング方法およびイオンドーピング装置例文帳に追加
METHOD AND DEVICE FOR ION DOPING - 特許庁
気相ドーピング装置および気相ドーピング方法例文帳に追加
VAPOR PHASE DOPING APPARATUS AND VAPOR PHASE DOPING METHOD - 特許庁
ドーピングされた二酸化チタン例文帳に追加
DOPING-PROCESSED TITANIUM DIOXIDE - 特許庁
ALD技術を用いたドーピング例文帳に追加
DOPING WITH ALD TECHNOLOGY - 特許庁
イオンドーピング装置およびイオンドーピング装置の低塵化方法例文帳に追加
ION DOPING APPARATUS AND METHOD OF REDUCING DUST IN ION DOPING APPARATUS - 特許庁
イオンドーピング装置、イオンドーピング方法および半導体装置例文帳に追加
ION DOPING DEVICE, ION DOPING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
ドーパントをドーピングした半導体装置及びそのドーピング方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE DOPED WITH DOPANT AND DOPING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
前記ドーピングパターンは互いに異なるドーピング濃度を有する。例文帳に追加
The doping pattern has mutually different doping concentrations. - 特許庁
固体膜へのドーピング方法およびドーピング・パターン形成方法例文帳に追加
DOPING METHOD TO SOLID FILM AND DOPING PATTERN FORMING METHOD - 特許庁
感光性成分を含む試料へのドーピング方法及びそのドーピング装置例文帳に追加
METHOD AND SYSTEM FOR DOPING SAMPLE CONTAINING PHOTOSENSITIVE COMPONENT - 特許庁
半導体融液へのドーパントのドーピング効率を向上させることができるドーピング方法及びドーピング装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a doping method by which efficiency of doping a dopant into a semiconductor melt can be improved, and to provide a doping device. - 特許庁
ドーピング層はF_4TCNQをドーピングすることが好ましく、ドーピング量は20atom%以下(ただし0は除く)であることが好ましい。例文帳に追加
It is also preferable that the doping layer is doped with F_4TCNQ at a rate of ≤20 atom% (except 0). - 特許庁
イオンドーピング装置、イオンドーピング装置用フィラメントおよびその製造方法例文帳に追加
ION DOPING DEVICE AND FILAMENT FOR ION DOPING DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
シリコン低温結晶化のための金属触媒ドーピング装置及びこれを利用したドーピング方法例文帳に追加
METAL CATALYST DOPING DEVICE FOR LOW TEMPERATURE SILICON CRYSTALLIZATION AND DOPING METHOD UTILIZING THE SAME - 特許庁
P型ドーピングにはホウ素、N型ドーピングには窒素を10%(atm)以下の濃度で含有させる。例文帳に追加
P-type doping contains boron and N-type doping contains nitrogen in a concentration of ≤10% (atm). - 特許庁
電極のフリードーピングシステム及びこれを用いる電極のフリードーピング方法例文帳に追加
FREE-DOPING SYSTEM OF ELECTRODE AND FREE-DOPING METHOD OF ELECTRODE USING THE SAME - 特許庁
安定して低濃度ドーピングが可能なプラズマドーピング方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a plasma doping method capable of stably performing a low concentration doping. - 特許庁
第2の炭化シリコン領域は、第1のドーピング濃度よりも低い第2のドーピング濃度を有する。例文帳に追加
The second silicon carbide region has a second doping concentration lower than the first doping concentration. - 特許庁
ダイヤモンドへの不純物拡散あるいはドーピングを容易し、ドーピング効果を高める。例文帳に追加
To facilitate impurity diffusion or doping into diamond and to increase a doping effect. - 特許庁
ドーピング装置及びドーピング方法、並びに薄膜トランジスタの作製方法例文帳に追加
DOPING APPARATUS, DOPING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁
2−6族半導体への窒素ドーピング方法と2−6族半導体への窒素ドーピング装置例文帳に追加
METHOD AND SYSTEM FOR DOPING NITIROGEN TO GROUP II-VI SEMICONDUCTOR - 特許庁
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